CMBA847G Todos los transistores

 

CMBA847G Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: CMBA847G

Material: Si

Polaridad de transistor: NPN

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Disipación total del dispositivo (Pc): 0.15 W

Tensión colector-base (Vcb): 50 V

Tensión colector-emisor (Vce): 50 V

Tensión emisor-base (Veb): 6 V

Corriente del colector DC máxima (Ic): 0.2 A

Temperatura operativa máxima (Tj): 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

Transición de frecuencia (fT): 200 MHz

Capacitancia de salida (Cc): 3.5 pF

Ganancia de corriente contínua (hFE): 400

Encapsulados: SOT-23

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CMBA847G datasheet

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CMBA847G

Continental Device India Limited An ISO/TS 16949, ISO 9001 and ISO 14001 Certified Company NPN EPITAXIAL PLANAR SILICON TRANSISTOR CMBA847 SOT23 PIN CONFIGURATION (NPN) 1 = BASE 2 = EMITTER 3 = COLLECTOR 3 MARKING AS BELOW 1 2 ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS DESCRIPTION SYMBOL VALUE UNIT Collector -Base Voltage VCBO 50 V Collector -Emitter Voltage VCEO 50 V Emitter Base Voltage VEB

 9.1. Size:129K  cdil
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CMBA847G

Continental Device India Limited An ISO/TS 16949, ISO 9001 and ISO 14001 Certified Company PNP EPITAXIAL PLANAR SILICON TRANSISTOR CMBA857 SOT23 PIN CONFIGURATION (PNP) 1 = BASE 2 = EMITTER 3 = COLLECTOR 3 MARKING AS BELOW 1 2 ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS DESCRIPTION SYMBOL VALUE UNIT Collector -Base Voltage VCBO 60 V Collector -Emitter Voltage VCEO 50 V Emitter Base Voltage VEBO

Otros transistores... CL100B , CL100S , CLB764 , CLD667 , CLD667A , CLD863 , CMBA847E , CMBA847F , TIP42 , CMBA857E , CMBA857F , CMBT200 , CMBT200A , CMBT2369 , CMBT2484 , CMBT4123 , CMBT4124 .

History: 2SB733

 

 

 

 

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