CMBA847G - описание и поиск аналогов

 

CMBA847G. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: CMBA847G

Тип материала: Si

Полярность: NPN

Предельные значения

Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.15 W

Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 50 V

Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 50 V

Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 6 V

Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 0.2 A

Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C

Электрические характеристики

Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 200 MHz

Ёмкость коллекторного перехода (Cc): 3.5 pf

Статический коэффициент передачи тока (hFE): 400

Корпус транзистора: SOT-23

 Аналоги (замена) для CMBA847G

- подбор ⓘ биполярного транзистора по параметрам

 

CMBA847G даташит

 7.1. Size:129K  cdil
 cmba847.pdf pdf_icon

CMBA847G

Continental Device India Limited An ISO/TS 16949, ISO 9001 and ISO 14001 Certified Company NPN EPITAXIAL PLANAR SILICON TRANSISTOR CMBA847 SOT23 PIN CONFIGURATION (NPN) 1 = BASE 2 = EMITTER 3 = COLLECTOR 3 MARKING AS BELOW 1 2 ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS DESCRIPTION SYMBOL VALUE UNIT Collector -Base Voltage VCBO 50 V Collector -Emitter Voltage VCEO 50 V Emitter Base Voltage VEB

 9.1. Size:129K  cdil
 cmba857.pdf pdf_icon

CMBA847G

Continental Device India Limited An ISO/TS 16949, ISO 9001 and ISO 14001 Certified Company PNP EPITAXIAL PLANAR SILICON TRANSISTOR CMBA857 SOT23 PIN CONFIGURATION (PNP) 1 = BASE 2 = EMITTER 3 = COLLECTOR 3 MARKING AS BELOW 1 2 ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS DESCRIPTION SYMBOL VALUE UNIT Collector -Base Voltage VCBO 60 V Collector -Emitter Voltage VCEO 50 V Emitter Base Voltage VEBO

Другие транзисторы... CL100B , CL100S , CLB764 , CLD667 , CLD667A , CLD863 , CMBA847E , CMBA847F , TIP42 , CMBA857E , CMBA857F , CMBT200 , CMBT200A , CMBT2369 , CMBT2484 , CMBT4123 , CMBT4124 .

History: CK100S

 

 

 


 
↑ Back to Top
.