CMBT4401 Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: CMBT4401
Material: Si
Polaridad de transistor: NPN
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Disipación total del dispositivo (Pc): 0.25 W
Tensión colector-base (Vcb): 60 V
Tensión colector-emisor (Vce): 40 V
Tensión emisor-base (Veb): 6 V
Corriente del colector DC máxima (Ic): 0.6 A
Temperatura operativa máxima (Tj): 150 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
Transición de frecuencia (fT): 250 MHz
Capacitancia de salida (Cc): 8 pF
Ganancia de corriente contínua (hFE): 40
Encapsulados: SOT-23
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CMBT4401 datasheet
cmbt4401.pdf
Continental Device India Limited An ISO/TS 16949, ISO 9001 and ISO 14001 Certified Company SOT-23 Formed SMD Package CMBT4401 SILICON PLANAR EPITAXIAL TRANSISTOR N P N transistor Marking PACKAGE OUTLINE DETAILS CMBT4401 = 2X ALL DIMENSIONS IN mm Pin configuration 1 = BASE 2 = EMITTER 3 = COLLECTOR 3 1 2 ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS Collector emitter voltage VCEO max. 40 V C
cmbt4403.pdf
Continental Device India Limited An ISO/TS 16949, ISO 9001 and ISO 14001 Certified Company SOT-23 Formed SMD Package CMBT4403 SILICON PLANAR EPITAXIAL TRANSISTOR P N P transistor Marking CMBT4403 = 2T Pin configuration 1 = BASE 2 = EMITTER 3 = COLLECTOR 3 1 2 ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS Collector emitter voltage VCEO max. 40 V Collector current (DC) I max. 600 mA C D
Otros transistores... CMBT200 , CMBT200A , CMBT2369 , CMBT2484 , CMBT4123 , CMBT4124 , CMBT4125 , CMBT4126 , 2222A , CMBT4403 , CMBT5087 , CMBT5088 , CMBT5089 , CMBT5400 , CMBT5401 , CMBT5550 , CMBT5551 .
History: BC636
History: BC636
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Liste
Recientemente añadidas las descripciónes de los transistores:
BJT: GA1A4M | SBT42 | 2SA200-Y | 2SA200-O | 2SD882-Q | 2SD882-P | 2SD882-E | 2SC945-L | 2SC945-H | 2SC4226-R23 | 2SC3357-F | 2SC3357-E | 2SC3356-R26 | 2SC3356-R24 | 2SC3356-R23 | 2SB772-Q | 2SB772-P | 2SB772-E | 2SA1015-L | 2SA1015-H | HSS8550
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