Биполярный транзистор CMBT4401 - описание производителя. Основные параметры. Даташиты.
Наименование производителя: CMBT4401
Тип материала: Si
Полярность: NPN
Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.25 W
Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 60 V
Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 40 V
Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 6 V
Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 0.6 A
Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C
Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 250 MHz
Ёмкость коллекторного перехода (Cc): 8 pf
Статический коэффициент передачи тока (hfe): 40
Корпус транзистора: SOT-23
CMBT4401 Datasheet (PDF)
cmbt4401.pdf
Continental Device India LimitedAn ISO/TS 16949, ISO 9001 and ISO 14001 Certified CompanySOT-23 Formed SMD PackageCMBT4401SILICON PLANAR EPITAXIAL TRANSISTORNPN transistorMarkingPACKAGE OUTLINE DETAILSCMBT4401 = 2XALL DIMENSIONS IN mmPin configuration1 = BASE2 = EMITTER3 = COLLECTOR312ABSOLUTE MAXIMUM RATINGSCollectoremitter voltage VCEO max. 40 VC
cmbt4403.pdf
Continental Device India LimitedAn ISO/TS 16949, ISO 9001 and ISO 14001 Certified CompanySOT-23 Formed SMD PackageCMBT4403SILICON PLANAR EPITAXIAL TRANSISTORPNP transistorMarkingCMBT4403 = 2TPin configuration1 = BASE2 = EMITTER3 = COLLECTOR312ABSOLUTE MAXIMUM RATINGSCollectoremitter voltage VCEO max. 40 VCollector current (DC) I max. 600 mACD
cmbt4126.pdf
Continental Device India LimitedAn ISO/TS 16949, ISO 9001 and ISO 14001 Certified CompanySOT-23 Formed SMD PackageCMBT4126GENERAL PURPOSE TRANSISTORPNP transistorMarkingCMBT4126 = 5EPin configuration1 = BASE2 = EMITTER3 = COLLECTOR312ABSOLUTE MAXIMUM RATINGSCollectorbase voltage (open emitter) VCBO max. 25 VCollectoremitter voltage (open base)
cmbt4125.pdf
Continental Device India LimitedAn ISO/TS 16949, ISO 9001 and ISO 14001 Certified CompanySOT-23 Formed SMD PackageCMBT4125GENERAL PURPOSE TRANSISTORPNP transistorMarkingCMBT4125 = 5DPin configuration1 = BASE2 = EMITTER3 = COLLECTOR312ABSOLUTE MAXIMUM RATINGSCollectorbase voltage (open emitter) VCBO max. 30 VCollectoremitter voltage (open base)
cmbt4124.pdf
Continental Device India LimitedAn ISO/TS 16949, ISO 9001 and ISO 14001 Certified CompanySOT-23 Formed SMD PackageCMBT4124GENERAL PURPOSE TRANSISTORNPN transistorMarkingCMBT4124 = 5CPin configuration1 = BASE2 = EMITTER3 = COLLECTOR312ABSOLUTE MAXIMUM RATINGSCollectorbase voltage (open emitter) VCBO max. 30 VCollectoremitter voltage (open base)
cmbt4123.pdf
Continental Device India LimitedAn ISO/TS 16949, ISO 9001 and ISO 14001 Certified CompanySOT-23 Formed SMD PackageCMBT4123GENERAL PURPOSE TRANSISTORNPN transistorMarkingCMBT4123 = 5BPin configuration1 = BASE2 = EMITTER3 = COLLECTOR312ABSOLUTE MAXIMUM RATINGSCollectorbase voltage (open emitter) VCBO max. 40 VCollectoremitter voltage (open base)
Другие транзисторы... HA9079 , HA9500 , HA9501 , HA9502 , HA9531 , HA9531A , HA9532 , HA9532A , TIP142 , HCT2907A , HCT2907M , HDA412 , HDA420 , HDA496 , HEP637 , HEPG0001 , HEPG0002 .
Список транзисторов
Обновления
BJT: SBT42 | 2SA200-Y | 2SA200-O | 2SD882-Q | 2SD882-P | 2SD882-E | 2SC945-L | 2SC945-H | 2SC4226-R23 | 2SC3357-F | 2SC3357-E | 2SC3356-R26 | 2SC3356-R24 | 2SC3356-R23 | 2SB772-Q | 2SB772-P | 2SB772-E | 2SA1015-L | 2SA1015-H | HSS8550 | HSS8050