CMBTH10 Todos los transistores

 

CMBTH10 . Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: CMBTH10
   Código: 3E
   Material: Si
   Polaridad de transistor: NPN

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS


   Disipación total del dispositivo (Pc): 0.3 W
   Tensión colector-base (Vcb): 30 V
   Tensión colector-emisor (Vce): 25 V
   Tensión emisor-base (Veb): 3 V
   Corriente del colector DC máxima (Ic): 0.004 A
   Temperatura operativa máxima (Tj): 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   Transición de frecuencia (ft): 650 MHz
   Ganancia de corriente contínua (hfe): 60
   Paquete / Cubierta: SOT-23
     - Selección de transistores por parámetros

 

CMBTH10 Datasheet (PDF)

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CMBTH10

Continental Device India LimitedAn ISO/TS 16949, ISO 9001 and ISO 14001 Certified CompanyNPN SILICON PLANAR EPITAXIAL TRANSISTOR CMBTH10PIN CONFIGURATION (NPN)1 = BASESOT-232 = EMITTER3 = COLLECTOR3 Formed SMD Package12Marking Code = 3EVHF/UHF TransistorABSOLUTE MAXIMUM RATINGSDESCRIPTION SYMBOL VALUE UNITSCollector Emitter Voltage VCEO V25VCBOCollector Base

Otros transistores... 2SA1801 , 2SA1802 , 2SA1802A , 2SA1803 , 2SA1803O , 2SA1803R , 2SA1804 , 2SA1804O , 2SD2499 , 2SA1805 , 2SA1805O , 2SA1805R , 2SA1806 , 2SA181 , 2SA1810 , 2SA1810B , 2SA1810C .

History: 2SC3423 | BC231B | FJX733 | ECG238 | 2SC2947 | UN211M | HPA251R

 

 
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