CMBTH10 Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: CMBTH10

Código: 3E

Material: Si

Polaridad de transistor: NPN

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Disipación total del dispositivo (Pc): 0.3 W

Tensión colector-base (Vcb): 30 V

Tensión colector-emisor (Vce): 25 V

Tensión emisor-base (Veb): 3 V

Corriente del colector DC máxima (Ic): 0.004 A

Temperatura operativa máxima (Tj): 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

Transición de frecuencia (fT): 650 MHz

Ganancia de corriente contínua (hFE): 60

Encapsulados: SOT-23

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CMBTH10 datasheet

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CMBTH10

Continental Device India Limited An ISO/TS 16949, ISO 9001 and ISO 14001 Certified Company NPN SILICON PLANAR EPITAXIAL TRANSISTOR CMBTH10 PIN CONFIGURATION (NPN) 1 = BASE SOT-23 2 = EMITTER 3 = COLLECTOR 3 Formed SMD Package 1 2 Marking Code = 3E VHF/UHF Transistor ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS DESCRIPTION SYMBOL VALUE UNITS Collector Emitter Voltage VCEO V 25 VCBO Collector Base

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