CMBTH10 . Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: CMBTH10
Código: 3E
Material: Si
Polaridad de transistor: NPN
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Disipación total del dispositivo (Pc): 0.3 W
Tensión colector-base (Vcb): 30 V
Tensión colector-emisor (Vce): 25 V
Tensión emisor-base (Veb): 3 V
Corriente del colector DC máxima (Ic): 0.004 A
Temperatura operativa máxima (Tj): 150 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
Transición de frecuencia (ft): 650 MHz
Ganancia de corriente contínua (hfe): 60
Paquete / Cubierta: SOT-23
- Selección de transistores por parámetros
CMBTH10 Datasheet (PDF)
cmbth10.pdf

Continental Device India LimitedAn ISO/TS 16949, ISO 9001 and ISO 14001 Certified CompanyNPN SILICON PLANAR EPITAXIAL TRANSISTOR CMBTH10PIN CONFIGURATION (NPN)1 = BASESOT-232 = EMITTER3 = COLLECTOR3 Formed SMD Package12Marking Code = 3EVHF/UHF TransistorABSOLUTE MAXIMUM RATINGSDESCRIPTION SYMBOL VALUE UNITSCollector Emitter Voltage VCEO V25VCBOCollector Base
Otros transistores... 2SA1801 , 2SA1802 , 2SA1802A , 2SA1803 , 2SA1803O , 2SA1803R , 2SA1804 , 2SA1804O , 2SD2499 , 2SA1805 , 2SA1805O , 2SA1805R , 2SA1806 , 2SA181 , 2SA1810 , 2SA1810B , 2SA1810C .
History: 2SC3423 | BC231B | FJX733 | ECG238 | 2SC2947 | UN211M | HPA251R
History: 2SC3423 | BC231B | FJX733 | ECG238 | 2SC2947 | UN211M | HPA251R



Liste
Recientemente añadidas las descripciónes de los transistores:
BJT: GA1A4M | SBT42 | 2SA200-Y | 2SA200-O | 2SD882-Q | 2SD882-P | 2SD882-E | 2SC945-L | 2SC945-H | 2SC4226-R23 | 2SC3357-F | 2SC3357-E | 2SC3356-R26 | 2SC3356-R24 | 2SC3356-R23 | 2SB772-Q | 2SB772-P | 2SB772-E | 2SA1015-L | 2SA1015-H | HSS8550
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