CMBTH10. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: CMBTH10

Маркировка: 3E

Тип материала: Si

Полярность: NPN

Предельные значения

Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.3 W

Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 30 V

Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 25 V

Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 3 V

Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 0.004 A

Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C

Электрические характеристики

Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 650 MHz

Статический коэффициент передачи тока (hFE): 60

Корпус транзистора: SOT-23

 Аналоги (замена) для CMBTH10

- подборⓘ биполярного транзистора по параметрам

 

CMBTH10 даташит

 ..1. Size:132K  cdil
 cmbth10.pdf pdf_icon

CMBTH10

Continental Device India Limited An ISO/TS 16949, ISO 9001 and ISO 14001 Certified Company NPN SILICON PLANAR EPITAXIAL TRANSISTOR CMBTH10 PIN CONFIGURATION (NPN) 1 = BASE SOT-23 2 = EMITTER 3 = COLLECTOR 3 Formed SMD Package 1 2 Marking Code = 3E VHF/UHF Transistor ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS DESCRIPTION SYMBOL VALUE UNITS Collector Emitter Voltage VCEO V 25 VCBO Collector Base

Другие транзисторы: CMBT9015D, CMBT918, CMBTA05, CMBTA06, CMBTA13, CMBTA14, CMBTA55, CMBTA56, C5198, CML1207, CMMT451, CMMT491, CMMT493, CMMT495, CMMT551, CMMT591, CMMT591A