CMBTH10 - аналоги и даташиты биполярного транзистора

 

CMBTH10 - Даташиты. Аналоги. Основные параметры


   Наименование производителя: CMBTH10
   Маркировка: 3E
   Тип материала: Si
   Полярность: NPN
   Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.3 W
   Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 30 V
   Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 25 V
   Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 3 V
   Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 0.004 A
   Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C
   Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 650 MHz
   Статический коэффициент передачи тока (hfe): 60
   Корпус транзистора: SOT-23
 

 Аналоги (замена) для CMBTH10

   - подбор ⓘ биполярного транзистора по параметрам

 

CMBTH10 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:132K  cdil
 cmbth10.pdf pdf_icon

CMBTH10

Continental Device India LimitedAn ISO/TS 16949, ISO 9001 and ISO 14001 Certified CompanyNPN SILICON PLANAR EPITAXIAL TRANSISTOR CMBTH10PIN CONFIGURATION (NPN)1 = BASESOT-232 = EMITTER3 = COLLECTOR3 Formed SMD Package12Marking Code = 3EVHF/UHF TransistorABSOLUTE MAXIMUM RATINGSDESCRIPTION SYMBOL VALUE UNITSCollector Emitter Voltage VCEO V25VCBOCollector Base

Другие транзисторы... CMBT9015D , CMBT918 , CMBTA05 , CMBTA06 , CMBTA13 , CMBTA14 , CMBTA55 , CMBTA56 , 13007 , CML1207 , CMMT451 , CMMT491 , CMMT493 , CMMT495 , CMMT551 , CMMT591 , CMMT591A .

 

 
Back to Top

 


 
.