Биполярный транзистор CMBTH10 - описание производителя. Основные параметры. Даташиты.
Наименование производителя: CMBTH10
Маркировка: 3E
Тип материала: Si
Полярность: NPN
Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.3 W
Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 30 V
Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 25 V
Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 3 V
Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 0.004 A
Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C
Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 650 MHz
Статический коэффициент передачи тока (hfe): 60
Корпус транзистора: SOT-23
CMBTH10 Datasheet (PDF)
..1. Size:132K cdil
cmbth10.pdf
cmbth10.pdf
Continental Device India LimitedAn ISO/TS 16949, ISO 9001 and ISO 14001 Certified CompanyNPN SILICON PLANAR EPITAXIAL TRANSISTOR CMBTH10PIN CONFIGURATION (NPN)1 = BASESOT-232 = EMITTER3 = COLLECTOR3 Formed SMD Package12Marking Code = 3EVHF/UHF TransistorABSOLUTE MAXIMUM RATINGSDESCRIPTION SYMBOL VALUE UNITSCollector Emitter Voltage VCEO V25VCBOCollector Base
Другие транзисторы... 2SA1803O , 2SA1803R , 2SA1804 , 2SA1804O , 2SA1804R , 2SA1805 , 2SA1805O , 2SA1805R , TIP42 , 2SA181 , 2SA1810 , 2SA1810B , 2SA1810C , 2SA1811 , 2SA1815 , 2SA1815-3 , 2SA1815-4 .
History: DRC3124T
History: DRC3124T
Список транзисторов
Обновления
BJT: SBT42 | 2SA200-Y | 2SA200-O | 2SD882-Q | 2SD882-P | 2SD882-E | 2SC945-L | 2SC945-H | 2SC4226-R23 | 2SC3357-F | 2SC3357-E | 2SC3356-R26 | 2SC3356-R24 | 2SC3356-R23 | 2SB772-Q | 2SB772-P | 2SB772-E | 2SA1015-L | 2SA1015-H | HSS8550 | HSS8050