Биполярный транзистор CMBTH10 Даташит. Аналоги

   Наименование производителя: CMBTH10
   Маркировка: 3E
   Тип материала: Si
   Полярность: NPN
   Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.3 W
   Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 30 V
   Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 25 V
   Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 3 V
   Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 0.004 A
   Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C
   Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 650 MHz
   Статический коэффициент передачи тока (hfe): 60
   Корпус транзистора: SOT-23
     - подбор биполярного транзистора по параметрам