CNL635 Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: CNL635 📄📄
Material: Si
Polaridad de transistor: NPN
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Disipación total del dispositivo (Pc): 0.8 W
Tensión colector-base (Vcb): 45 V
Tensión colector-emisor (Vce): 45 V
Tensión emisor-base (Veb): 5 V
Corriente del colector DC máxima (Ic): 1 A
Temperatura operativa máxima (Tj): 150 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
Transición de frecuencia (fT): 200 MHz
Capacitancia de salida (Cc): 7 pF
Ganancia de corriente contínua (hFE): 40
Encapsulados: TO-92
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CNL635 datasheet
cnl635 cpl636 cnl637 cpl638 cnl639 cpl640.pdf
Continental Device India Limited An ISO/TS 16949, ISO 9001 and ISO 14001 Certified Company SILICON PLANAR EPITAXIAL TRANSISTORS CNL635 CPL636 CNL637 CPL638 CNL639 CPL640 NPN PNP TO-92 Plastic Package E CB Suitable for Driver Stage of Audio Amplifier ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (Ta=25 C Unless Otherwise Specified) CNL635 CNL637 CNL639 DESCRIPTION SYMBOL UNIT CPL636 CPL638 CPL640 Col
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Parámetros del transistor bipolar y su interrelación.
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