CNL637 . Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: CNL637
Material: Si
Polaridad de transistor: NPN
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Disipación total del dispositivo (Pc): 0.8 W
Tensión colector-base (Vcb): 60 V
Tensión colector-emisor (Vce): 60 V
Tensión emisor-base (Veb): 5 V
Corriente del colector DC máxima (Ic): 1 A
Temperatura operativa máxima (Tj): 150 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
Transición de frecuencia (ft): 200 MHz
Capacitancia de salida (Cc): 7 pF
Ganancia de corriente contínua (hfe): 40
Paquete / Cubierta: TO-92
Búsqueda de reemplazo de CNL637
CNL637 Datasheet (PDF)
cnl635 cpl636 cnl637 cpl638 cnl639 cpl640.pdf

Continental Device India LimitedAn ISO/TS 16949, ISO 9001 and ISO 14001 Certified CompanySILICON PLANAR EPITAXIAL TRANSISTORS CNL635 CPL636CNL637 CPL638CNL639 CPL640NPN PNPTO-92Plastic PackageECBSuitable for Driver Stage of Audio AmplifierABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (Ta=25C Unless Otherwise Specified)CNL635 CNL637 CNL639DESCRIPTION SYMBOL UNITCPL636 CPL638 CPL640Col
Otros transistores... CN657 , CN8050 , CN8050C , CN8050D , CN8550 , CN8550C , CN8550D , CNL635 , TIP42 , CNL639 , CO38P , CP107 , CP1342 , CP4 , CP500 , CP501 , CP502 .
History: 2SA206 | 2N5589 | 2SC641
History: 2SA206 | 2N5589 | 2SC641



Liste
Recientemente añadidas las descripciónes de los transistores:
BJT: GA1A4M | SBT42 | 2SA200-Y | 2SA200-O | 2SD882-Q | 2SD882-P | 2SD882-E | 2SC945-L | 2SC945-H | 2SC4226-R23 | 2SC3357-F | 2SC3357-E | 2SC3356-R26 | 2SC3356-R24 | 2SC3356-R23 | 2SB772-Q | 2SB772-P | 2SB772-E | 2SA1015-L | 2SA1015-H | HSS8550
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