CNL637. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: CNL637

Тип материала: Si

Полярность: NPN

Предельные значения

Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.8 W

Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 60 V

Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 60 V

Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 5 V

Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 1 A

Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C

Электрические характеристики

Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 200 MHz

Ёмкость коллекторного перехода (Cc): 7 pf

Статический коэффициент передачи тока (hFE): 40

Корпус транзистора: TO-92

 Аналоги (замена) для CNL637

- подборⓘ биполярного транзистора по параметрам

 

CNL637 даташит

 ..1. Size:346K  cdil
 cnl635 cpl636 cnl637 cpl638 cnl639 cpl640.pdf pdf_icon

CNL637

Continental Device India Limited An ISO/TS 16949, ISO 9001 and ISO 14001 Certified Company SILICON PLANAR EPITAXIAL TRANSISTORS CNL635 CPL636 CNL637 CPL638 CNL639 CPL640 NPN PNP TO-92 Plastic Package E CB Suitable for Driver Stage of Audio Amplifier ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (Ta=25 C Unless Otherwise Specified) CNL635 CNL637 CNL639 DESCRIPTION SYMBOL UNIT CPL636 CPL638 CPL640 Col

Другие транзисторы: CN657, CN8050, CN8050C, CN8050D, CN8550, CN8550C, CN8550D, CNL635, 2SD2499, CNL639, CO38P, CP107, CP1342, CP4, CP500, CP501, CP502