CSB1116A Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: CSB1116A

Material: Si

Polaridad de transistor: PNP

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Disipación total del dispositivo (Pc): 0.75 W

Tensión colector-base (Vcb): 80 V

Tensión colector-emisor (Vce): 60 V

Tensión emisor-base (Veb): 6 V

Corriente del colector DC máxima (Ic): 1 A

Temperatura operativa máxima (Tj): 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

Transición de frecuencia (fT): 70 MHz

Capacitancia de salida (Cc): 25 pF

Ganancia de corriente contínua (hFE): 135

Encapsulados: TO-92

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CSB1116A datasheet

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CSB1116A

Continental Device India Limited An ISO/TS 16949, ISO 9001 and ISO 14001 Certified Company PNP EPITAXIAL PLANAR SILICON TRANSISTOR CSB1116 CSB1116A TO-92 BCE B C E Audio Frequency Power Amplifier And Medium Speed Switching Complementary CSD1616/1616A ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS(Ta=25 deg C) DESCRIPTION SYMBOL CSB1116 CSB1116A UNIT Collector -Base Voltage VCBO 60 80 V Collector -Emitt

Otros transistores... CSA988F, CSA988P, CSAL1013, CSAL928A, CSB1058, CSB1058A, CSB1058B, CSB1116, TIP41C, CSB1116G, CSB1116L, CSB1116Y, CSB1181, CSB1182, CSB1184, CSB1272, CSB1370