CSB1116A. Аналоги и основные параметры
Наименование производителя: CSB1116A
Тип материала: Si
Полярность: PNP
Предельные значения
Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.75 W
Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 80 V
Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 60 V
Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 6 V
Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 1 A
Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C
Электрические характеристики
Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 70 MHz
Ёмкость коллекторного перехода (Cc): 25 pf
Статический коэффициент передачи тока (hFE): 135
Корпус транзистора: TO-92
Аналоги (замена) для CSB1116A
CSB1116A даташит
csb1116.pdf
Continental Device India Limited An ISO/TS 16949, ISO 9001 and ISO 14001 Certified Company PNP EPITAXIAL PLANAR SILICON TRANSISTOR CSB1116 CSB1116A TO-92 BCE B C E Audio Frequency Power Amplifier And Medium Speed Switching Complementary CSD1616/1616A ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS(Ta=25 deg C) DESCRIPTION SYMBOL CSB1116 CSB1116A UNIT Collector -Base Voltage VCBO 60 80 V Collector -Emitt
Другие транзисторы... CSA988F , CSA988P , CSAL1013 , CSAL928A , CSB1058 , CSB1058A , CSB1058B , CSB1116 , TIP41C , CSB1116G , CSB1116L , CSB1116Y , CSB1181 , CSB1182 , CSB1184 , CSB1272 , CSB1370 .
History: B1129NT1V-1 | 2SB798DK | 2SB793
History: B1129NT1V-1 | 2SB798DK | 2SB793
Список транзисторов
Обновления
BJT: GA1A4M | SBT42 | 2SA200-Y | 2SA200-O | 2SD882-Q | 2SD882-P | 2SD882-E | 2SC945-L | 2SC945-H | 2SC4226-R23 | 2SC3357-F | 2SC3357-E | 2SC3356-R26 | 2SC3356-R24 | 2SC3356-R23 | 2SB772-Q | 2SB772-P | 2SB772-E | 2SA1015-L | 2SA1015-H | HSS8550
Popular searches
2sa1360 | p60nf06 datasheet | 2sc4468 | ru6888r | 2sc1815y | ktc3964 | s9013 transistor equivalent | 60n60 mosfet

