CSB649C Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: CSB649C  📄📄 

Material: Si

Polaridad de transistor: PNP

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Disipación total del dispositivo (Pc): 20 W

Tensión colector-base (Vcb): 180 V

Tensión colector-emisor (Vce): 120 V

Tensión emisor-base (Veb): 5 V

Corriente del colector DC máxima (Ic): 1.5 A

Temperatura operativa máxima (Tj): 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

Transición de frecuencia (fT): 140 MHz

Capacitancia de salida (Cc): 27 pF

Ganancia de corriente contínua (hFE): 100

Encapsulados: TO-126

  📄📄 Copiar 

 Búsqueda de reemplazo de CSB649C

- Selecciónⓘ de transistores por parámetros

 

CSB649C datasheet

 8.1. Size:87K  cdil
 csb649 a csd669-a.pdf pdf_icon

CSB649C

Continental Device India Limited An ISO/TS 16949, ISO 9001 and ISO 14001 Certified Company TO-126 (SOT-32) Plastic Package CSB649, CSB649A CSD669, CSD669A CSB649, 649A PNP PLASTIC POWER TRANSISTORS CSD669, 669A NPN PLASTIC POWER TRANSISTORS Low frequency Power Amplifier PIN CONFIGURATION 1. EMITTER 2. COLLECTOR 3. BASE 1 2 3 ALL DIMENSIONS IN MM ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS ABSOLUTE

Otros transistores... CSB631KD, CSB631KE, CSB631KF, CSB649, CSB649A, CSB649AB, CSB649AC, CSB649B, SS8050, CSB649D, CSD669, CSD669A, CSD669AB, CSD669AC, CSD669B, CSD669C, CSD669D