CSB649C datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование производителя: CSB649C  📄📄 

Тип материала: Si

Полярность: PNP

Предельные значения

Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 20 W

Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 180 V

Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 120 V

Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 5 V

Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 1.5 A

Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C

Электрические характеристики

Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 140 MHz

Ёмкость коллекторного перехода (Cc): 27 pf

Статический коэффициент передачи тока (hFE): 100

Корпус транзистора: TO-126

  📄📄 Копировать 

 Аналоги (замена) для CSB649C

- подборⓘ биполярного транзистора по параметрам

 

CSB649C даташит

 8.1. Size:87K  cdil
 csb649 a csd669-a.pdf pdf_icon

CSB649C

Continental Device India Limited An ISO/TS 16949, ISO 9001 and ISO 14001 Certified Company TO-126 (SOT-32) Plastic Package CSB649, CSB649A CSD669, CSD669A CSB649, 649A PNP PLASTIC POWER TRANSISTORS CSD669, 669A NPN PLASTIC POWER TRANSISTORS Low frequency Power Amplifier PIN CONFIGURATION 1. EMITTER 2. COLLECTOR 3. BASE 1 2 3 ALL DIMENSIONS IN MM ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS ABSOLUTE

Другие транзисторы: CSB631KD, CSB631KE, CSB631KF, CSB649, CSB649A, CSB649AB, CSB649AC, CSB649B, SS8050, CSB649D, CSD669, CSD669A, CSD669AB, CSD669AC, CSD669B, CSD669C, CSD669D