Справочник транзисторов. CSB649C

 

Биполярный транзистор CSB649C Даташит. Аналоги


   Наименование производителя: CSB649C
   Тип материала: Si
   Полярность: PNP
   Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 20 W
   Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 180 V
   Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 120 V
   Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 5 V
   Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 1.5 A
   Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C
   Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 140 MHz
   Ёмкость коллекторного перехода (Cc): 27 pf
   Статический коэффициент передачи тока (hfe): 100
   Корпус транзистора: TO-126
 

 Аналог (замена) для CSB649C

   - подбор ⓘ биполярного транзистора по параметрам

 

CSB649C Datasheet (PDF)

 8.1. Size:87K  cdil
 csb649 a csd669-a.pdf pdf_icon

CSB649C

Continental Device India LimitedAn ISO/TS 16949, ISO 9001 and ISO 14001 Certified CompanyTO-126 (SOT-32) Plastic Package CSB649, CSB649ACSD669, CSD669ACSB649, 649A PNP PLASTIC POWER TRANSISTORSCSD669, 669A NPN PLASTIC POWER TRANSISTORSLow frequency Power AmplifierPIN CONFIGURATION1. EMITTER2. COLLECTOR3. BASE123ALL DIMENSIONS IN MMABSOLUTE MAXIMUM RATINGSABSOLUTE

Другие транзисторы... CSB631KD , CSB631KE , CSB631KF , CSB649 , CSB649A , CSB649AB , CSB649AC , CSB649B , A1013 , CSB649D , CSD669 , CSD669A , CSD669AB , CSD669AC , CSD669B , CSD669C , CSD669D .

History: TN835 | ASZ16 | 2SC3781D | SUR529H | TIP29CG | ASY63N

 

 
Back to Top

 


 
.