CSD669 Todos los transistores

 

CSD669 . Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: CSD669

Material: Si

Polaridad de transistor: NPN

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Disipación total del dispositivo (Pc): 20 W

Tensión colector-base (Vcb): 180 V

Tensión colector-emisor (Vce): 120 V

Tensión emisor-base (Veb): 5 V

Corriente del colector DC máxima (Ic): 1.5 A

Temperatura operativa máxima (Tj): 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

Producto de corriente -- ganancia — ancho de banda (ft): 140 MHz

Capacitancia de salida (Cc): 14 pF

Ganancia de corriente contínua (hfe): 60

Empaquetado / Estuche: TO-126

Búsqueda de reemplazo de transistor bipolar CSD669

 

CSD669 Datasheet (PDF)

0.1. csb649 a csd669-a.pdf Size:87K _cdil

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Continental Device India LimitedAn ISO/TS 16949, ISO 9001 and ISO 14001 Certified CompanyTO-126 (SOT-32) Plastic Package CSB649, CSB649ACSD669, CSD669ACSB649, 649A PNP PLASTIC POWER TRANSISTORSCSD669, 669A NPN PLASTIC POWER TRANSISTORSLow frequency Power AmplifierPIN CONFIGURATION1. EMITTER2. COLLECTOR3. BASE123ALL DIMENSIONS IN MMABSOLUTE MAXIMUM RATINGSABSOLUTE

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Liste

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