2N616 . Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: 2N616
Material: Ge
Polaridad de transistor: PNP
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Disipación total del dispositivo (Pc): 0.125 W
Tensión colector-base (Vcb): 15 V
Tensión colector-emisor (Vce): 12 V
Tensión emisor-base (Veb): 10 V
Corriente del colector DC máxima (Ic): 0.15 A
Temperatura operativa máxima (Tj): 100 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
Transición de frecuencia (ft): 9 MHz
Capacitancia de salida (Cc): 56 pF
Ganancia de corriente contínua (hfe): 25
Paquete / Cubierta: TO5
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2N616 Datasheet (PDF)
2n6166.pdf

2N6166 NPN SILICON RF POWER TRANSISTOR DESCRIPTION: PACKAGE STYLE .500 4L FLG The ASI 2N6166 is Designed to operate in a collector modulated VHF .112x45 LPower Amplifier Applications up to 200 AMHz. E.125 NOM.C FULL RCFEATURES: BE B C = 60 % min. @ 100 W/150 MHz E D PG = 6.0 dB min. @ 100 W/150 MHz F GH Omnigold Metalization Sy
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History: GI2922 | 2SA1243 | 2N861 | LBC556A
History: GI2922 | 2SA1243 | 2N861 | LBC556A



Liste
Recientemente añadidas las descripciónes de los transistores:
BJT: GA1A4M | SBT42 | 2SA200-Y | 2SA200-O | 2SD882-Q | 2SD882-P | 2SD882-E | 2SC945-L | 2SC945-H | 2SC4226-R23 | 2SC3357-F | 2SC3357-E | 2SC3356-R26 | 2SC3356-R24 | 2SC3356-R23 | 2SB772-Q | 2SB772-P | 2SB772-E | 2SA1015-L | 2SA1015-H | HSS8550
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