2N616 Todos los transistores

 

2N616 . Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: 2N616
   Material: Ge
   Polaridad de transistor: PNP

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS


   Disipación total del dispositivo (Pc): 0.125 W
   Tensión colector-base (Vcb): 15 V
   Tensión colector-emisor (Vce): 12 V
   Tensión emisor-base (Veb): 10 V
   Corriente del colector DC máxima (Ic): 0.15 A
   Temperatura operativa máxima (Tj): 100 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   Transición de frecuencia (ft): 9 MHz
   Capacitancia de salida (Cc): 56 pF
   Ganancia de corriente contínua (hfe): 25
   Paquete / Cubierta: TO5
 

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2N616 Datasheet (PDF)

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2N616

2N6166 NPN SILICON RF POWER TRANSISTOR DESCRIPTION: PACKAGE STYLE .500 4L FLG The ASI 2N6166 is Designed to operate in a collector modulated VHF .112x45 LPower Amplifier Applications up to 200 AMHz. E.125 NOM.C FULL RCFEATURES: BE B C = 60 % min. @ 100 W/150 MHz E D PG = 6.0 dB min. @ 100 W/150 MHz F GH Omnigold Metalization Sy

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History: 2N6599 | 2SD235O | MMBT4401 | 2SA1415T | BCW19 | BU137A | 2SA495Y

 

 
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