Справочник транзисторов. 2N616

 

Биполярный транзистор 2N616 Даташит. Аналоги


   Наименование производителя: 2N616
   Тип материала: Ge
   Полярность: PNP
   Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.125 W
   Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 15 V
   Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 12 V
   Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 10 V
   Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 0.15 A
   Предельная температура PN-перехода (Tj): 100 °C
   Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 9 MHz
   Ёмкость коллекторного перехода (Cc): 56 pf
   Статический коэффициент передачи тока (hfe): 25
   Корпус транзистора: TO5
 

 Аналог (замена) для 2N616

   - подбор ⓘ биполярного транзистора по параметрам

 

2N616 Datasheet (PDF)

 0.1. Size:83K  1
 2n6166.pdf pdf_icon

2N616

 0.2. Size:15K  advanced-semi
 2n6166.pdf pdf_icon

2N616

2N6166 NPN SILICON RF POWER TRANSISTOR DESCRIPTION: PACKAGE STYLE .500 4L FLG The ASI 2N6166 is Designed to operate in a collector modulated VHF .112x45 LPower Amplifier Applications up to 200 AMHz. E.125 NOM.C FULL RCFEATURES: BE B C = 60 % min. @ 100 W/150 MHz E D PG = 6.0 dB min. @ 100 W/150 MHz F GH Omnigold Metalization Sy

Другие транзисторы... 2N3200 , 2N3201 , 2N3202 , 2N3203 , 2N3204 , 2N3205 , 2N3206 , 2N3207 , BC546 , 2N3209 , 2N3209AQF , 2N3209CSM , 2N3209DCSM , 2N3209L , 2N321 , 2N3210 , 2N3211 .

History: 2N535B | MPS2222RLRPG

 

 
Back to Top

 


 
.