Биполярный транзистор 2N616 - описание производителя. Основные параметры. Даташиты.
Наименование производителя: 2N616
Тип материала: Ge
Полярность: PNP
Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.125 W
Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 15 V
Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 12 V
Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 10 V
Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 0.15 A
Предельная температура PN-перехода (Tj): 100 °C
Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 9 MHz
Ёмкость коллекторного перехода (Cc): 56 pf
Статический коэффициент передачи тока (hfe): 25
Корпус транзистора: TO5
2N616 Datasheet (PDF)
0.2. Size:15K advanced-semi
2n6166.pdf
2n6166.pdf
2N6166 NPN SILICON RF POWER TRANSISTOR DESCRIPTION: PACKAGE STYLE .500 4L FLG The ASI 2N6166 is Designed to operate in a collector modulated VHF .112x45 LPower Amplifier Applications up to 200 AMHz. E.125 NOM.C FULL RCFEATURES: BE B C = 60 % min. @ 100 W/150 MHz E D PG = 6.0 dB min. @ 100 W/150 MHz F GH Omnigold Metalization Sy
Другие транзисторы... 2N6131 , 2N6132 , 2N6133 , 2N6134 , 2N6135 , 2N6136 , 2N614 , 2N615 , 2SD2499 , 2N6166 , 2N617 , 2N6175 , 2N6176 , 2N6177 , 2N6178 , 2N6179 , 2N618 .
Список транзисторов
Обновления
BJT: SBT42 | 2SA200-Y | 2SA200-O | 2SD882-Q | 2SD882-P | 2SD882-E | 2SC945-L | 2SC945-H | 2SC4226-R23 | 2SC3357-F | 2SC3357-E | 2SC3356-R26 | 2SC3356-R24 | 2SC3356-R23 | 2SB772-Q | 2SB772-P | 2SB772-E | 2SA1015-L | 2SA1015-H | HSS8550 | HSS8050