2N616 - описание и поиск аналогов

 

2N616. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: 2N616

Тип материала: Ge

Полярность: PNP

Предельные значения

Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.125 W

Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 15 V

Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 12 V

Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 10 V

Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 0.15 A

Предельная температура PN-перехода (Tj): 100 °C

Электрические характеристики

Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 9 MHz

Ёмкость коллекторного перехода (Cc): 56 pf

Статический коэффициент передачи тока (hFE): 25

Корпус транзистора: TO5

 Аналоги (замена) для 2N616

- подбор ⓘ биполярного транзистора по параметрам

 

2N616 даташит

 0.1. Size:83K  1
 2n6166.pdf pdf_icon

2N616

 0.2. Size:15K  advanced-semi
 2n6166.pdf pdf_icon

2N616

2N6166 NPN SILICON RF POWER TRANSISTOR DESCRIPTION PACKAGE STYLE .500 4L FLG The ASI 2N6166 is Designed to operate in a collector modulated VHF .112x45 L Power Amplifier Applications up to 200 A MHz. E .125 NOM. C FULL R C FEATURES B E B C = 60 % min. @ 100 W/150 MHz E D PG = 6.0 dB min. @ 100 W/150 MHz F G H Omnigold Metalization Sy

Другие транзисторы... 2N6131 , 2N6132 , 2N6133 , 2N6134 , 2N6135 , 2N6136 , 2N614 , 2N615 , BC327 , 2N6166 , 2N617 , 2N6175 , 2N6176 , 2N6177 , 2N6178 , 2N6179 , 2N618 .

 

 

 

 

↑ Back to Top
.