2N6166 Todos los transistores

 

2N6166 Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: 2N6166

Material: Si

Polaridad de transistor: NPN

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Disipación total del dispositivo (Pc): 100 W

Tensión colector-base (Vcb): 65 V

Tensión colector-emisor (Vce): 35 V

Tensión emisor-base (Veb): 4 V

Corriente del colector DC máxima (Ic): 9 A

Temperatura operativa máxima (Tj): 200 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

Transición de frecuencia (fT): 150 MHz

Capacitancia de salida (Cc): 130 pF

Ganancia de corriente contínua (hFE): 5

Encapsulados: 211-10

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2N6166 datasheet

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2N6166

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2N6166

2N6166 NPN SILICON RF POWER TRANSISTOR DESCRIPTION PACKAGE STYLE .500 4L FLG The ASI 2N6166 is Designed to operate in a collector modulated VHF .112x45 L Power Amplifier Applications up to 200 A MHz. E .125 NOM. C FULL R C FEATURES B E B C = 60 % min. @ 100 W/150 MHz E D PG = 6.0 dB min. @ 100 W/150 MHz F G H Omnigold Metalization Sy

Otros transistores... 2N6132 , 2N6133 , 2N6134 , 2N6135 , 2N6136 , 2N614 , 2N615 , 2N616 , A733 , 2N617 , 2N6175 , 2N6176 , 2N6177 , 2N6178 , 2N6179 , 2N618 , 2N6180 .

 

 

 


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