2N6166 - описание и поиск аналогов

 

2N6166. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: 2N6166

Тип материала: Si

Полярность: NPN

Предельные значения

Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 100 W

Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 65 V

Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 35 V

Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 4 V

Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 9 A

Предельная температура PN-перехода (Tj): 200 °C

Электрические характеристики

Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 150 MHz

Ёмкость коллекторного перехода (Cc): 130 pf

Статический коэффициент передачи тока (hFE): 5

Корпус транзистора: 211-10

 Аналоги (замена) для 2N6166

- подборⓘ биполярного транзистора по параметрам

 

2N6166 даташит

 ..1. Size:83K  1
 2n6166.pdf pdf_icon

2N6166

 ..2. Size:15K  advanced-semi
 2n6166.pdf pdf_icon

2N6166

2N6166 NPN SILICON RF POWER TRANSISTOR DESCRIPTION PACKAGE STYLE .500 4L FLG The ASI 2N6166 is Designed to operate in a collector modulated VHF .112x45 L Power Amplifier Applications up to 200 A MHz. E .125 NOM. C FULL R C FEATURES B E B C = 60 % min. @ 100 W/150 MHz E D PG = 6.0 dB min. @ 100 W/150 MHz F G H Omnigold Metalization Sy

Другие транзисторы: 2N6132, 2N6133, 2N6134, 2N6135, 2N6136, 2N614, 2N615, 2N616, A733, 2N617, 2N6175, 2N6176, 2N6177, 2N6178, 2N6179, 2N618, 2N6180

 

 

 

 

↑ Back to Top
.