Справочник транзисторов. 2N6166

 

Биполярный транзистор 2N6166 Даташит. Аналоги


   Наименование производителя: 2N6166
   Тип материала: Si
   Полярность: NPN
   Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 100 W
   Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 65 V
   Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 35 V
   Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 4 V
   Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 9 A
   Предельная температура PN-перехода (Tj): 200 °C
   Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 150 MHz
   Ёмкость коллекторного перехода (Cc): 130 pf
   Статический коэффициент передачи тока (hfe): 5
   Корпус транзистора: 211-10
     - подбор биполярного транзистора по параметрам

 

2N6166 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:83K  1
2n6166.pdfpdf_icon

2N6166

 ..2. Size:15K  advanced-semi
2n6166.pdfpdf_icon

2N6166

2N6166 NPN SILICON RF POWER TRANSISTOR DESCRIPTION: PACKAGE STYLE .500 4L FLG The ASI 2N6166 is Designed to operate in a collector modulated VHF .112x45 LPower Amplifier Applications up to 200 AMHz. E.125 NOM.C FULL RCFEATURES: BE B C = 60 % min. @ 100 W/150 MHz E D PG = 6.0 dB min. @ 100 W/150 MHz F GH Omnigold Metalization Sy

Другие транзисторы... 2N6132 , 2N6133 , 2N6134 , 2N6135 , 2N6136 , 2N614 , 2N615 , 2N616 , 2SA1837 , 2N617 , 2N6175 , 2N6176 , 2N6177 , 2N6178 , 2N6179 , 2N618 , 2N6180 .

History: 2SA795A | 2SA815 | RT3YB7M | 3DG2413K | BC848CW-G | 2SA1706T-AN

 

 
Back to Top

 


 
.