Биполярный транзистор 2N6166 Даташит. Аналоги
Наименование производителя: 2N6166
Тип материала: Si
Полярность: NPN
Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 100 W
Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 65 V
Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 35 V
Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 4 V
Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 9 A
Предельная температура PN-перехода (Tj): 200 °C
Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 150 MHz
Ёмкость коллекторного перехода (Cc): 130 pf
Статический коэффициент передачи тока (hfe): 5
Корпус транзистора: 211-10
- подбор биполярного транзистора по параметрам
2N6166 Datasheet (PDF)
2n6166.pdf

2N6166 NPN SILICON RF POWER TRANSISTOR DESCRIPTION: PACKAGE STYLE .500 4L FLG The ASI 2N6166 is Designed to operate in a collector modulated VHF .112x45 LPower Amplifier Applications up to 200 AMHz. E.125 NOM.C FULL RCFEATURES: BE B C = 60 % min. @ 100 W/150 MHz E D PG = 6.0 dB min. @ 100 W/150 MHz F GH Omnigold Metalization Sy
Другие транзисторы... 2N6132 , 2N6133 , 2N6134 , 2N6135 , 2N6136 , 2N614 , 2N615 , 2N616 , 2SA1837 , 2N617 , 2N6175 , 2N6176 , 2N6177 , 2N6178 , 2N6179 , 2N618 , 2N6180 .
History: 2SA795A | 2SA815 | RT3YB7M | 3DG2413K | BC848CW-G | 2SA1706T-AN
History: 2SA795A | 2SA815 | RT3YB7M | 3DG2413K | BC848CW-G | 2SA1706T-AN



Список транзисторов
Обновления
BJT: GA1A4M | SBT42 | 2SA200-Y | 2SA200-O | 2SD882-Q | 2SD882-P | 2SD882-E | 2SC945-L | 2SC945-H | 2SC4226-R23 | 2SC3357-F | 2SC3357-E | 2SC3356-R26 | 2SC3356-R24 | 2SC3356-R23 | 2SB772-Q | 2SB772-P | 2SB772-E | 2SA1015-L | 2SA1015-H | HSS8550
Popular searches
bc139 | 2sc1398 | 2sd218 | bc547 характеристики | me15n10-g | 2n2905 equivalent | 2sa640 | 2sb527