Биполярный транзистор 2N6166 - описание производителя. Основные параметры. Даташиты.
Наименование производителя: 2N6166
Тип материала: Si
Полярность: NPN
Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 100 W
Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 65 V
Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 35 V
Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 4 V
Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 9 A
Предельная температура PN-перехода (Tj): 200 °C
Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 150 MHz
Ёмкость коллекторного перехода (Cc): 130 pf
Статический коэффициент передачи тока (hfe): 5
Корпус транзистора: 211-10
2N6166 Datasheet (PDF)
..2. Size:15K advanced-semi
2n6166.pdf
2n6166.pdf
2N6166 NPN SILICON RF POWER TRANSISTOR DESCRIPTION: PACKAGE STYLE .500 4L FLG The ASI 2N6166 is Designed to operate in a collector modulated VHF .112x45 LPower Amplifier Applications up to 200 AMHz. E.125 NOM.C FULL RCFEATURES: BE B C = 60 % min. @ 100 W/150 MHz E D PG = 6.0 dB min. @ 100 W/150 MHz F GH Omnigold Metalization Sy
Другие транзисторы... 2N3200 , 2N3201 , 2N3202 , 2N3203 , 2N3204 , 2N3205 , 2N3206 , 2N3207 , B772 , 2N3209 , 2N3209AQF , 2N3209CSM , 2N3209DCSM , 2N3209L , 2N321 , 2N3210 , 2N3211 .
Список транзисторов
Обновления
BJT: SBT42 | 2SA200-Y | 2SA200-O | 2SD882-Q | 2SD882-P | 2SD882-E | 2SC945-L | 2SC945-H | 2SC4226-R23 | 2SC3357-F | 2SC3357-E | 2SC3356-R26 | 2SC3356-R24 | 2SC3356-R23 | 2SB772-Q | 2SB772-P | 2SB772-E | 2SA1015-L | 2SA1015-H | HSS8550 | HSS8050