CSD655F Todos los transistores

 

CSD655F . Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: CSD655F
   Material: Si
   Polaridad de transistor: NPN

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS


   Disipación total del dispositivo (Pc): 0.5 W
   Tensión colector-base (Vcb): 30 V
   Tensión colector-emisor (Vce): 15 V
   Tensión emisor-base (Veb): 5 V
   Corriente del colector DC máxima (Ic): 0.7 A
   Temperatura operativa máxima (Tj): 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   Transición de frecuencia (ft): 250 MHz
   Capacitancia de salida (Cc): 30 pF
   Ganancia de corriente contínua (hfe): 600
   Paquete / Cubierta: TO-92
 

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CSD655F Datasheet (PDF)

 8.1. Size:86K  cdil
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CSD655F

Continental Device India LimitedAn ISO/TS 16949, ISO 9001 and ISO 14001 Certified CompanyNPN EPITAXIAL PLANAR SILICON TRANSISTOR CSD655(9AW)TO-92BCEMarking : As BelowABSOLUTE MAXIMUM RATINGS(Ta=25deg C unless otherwise specified)DESCRIPTION SYMBOL VALUE UNITCollector -Base Voltage VCBO 30 VCollector -Emitter Voltage VCEO 15 VEmitter Base Voltage VEBO 5.0 VCollector Curre

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History: 2SA1013T | ESM5008

 

 
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