CSD655F - описание и поиск аналогов

 

CSD655F. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: CSD655F

Тип материала: Si

Полярность: NPN

Предельные значения

Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.5 W

Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 30 V

Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 15 V

Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 5 V

Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 0.7 A

Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C

Электрические характеристики

Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 250 MHz

Ёмкость коллекторного перехода (Cc): 30 pf

Статический коэффициент передачи тока (hFE): 600

Корпус транзистора: TO-92

 Аналоги (замена) для CSD655F

   - подбор ⓘ биполярного транзистора по параметрам

 

CSD655F даташит

 8.1. Size:86K  cdil
 csd655.pdf pdf_icon

CSD655F

Continental Device India Limited An ISO/TS 16949, ISO 9001 and ISO 14001 Certified Company NPN EPITAXIAL PLANAR SILICON TRANSISTOR CSD655 (9AW) TO-92 BCE Marking As Below ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS(Ta=25deg C unless otherwise specified) DESCRIPTION SYMBOL VALUE UNIT Collector -Base Voltage VCBO 30 V Collector -Emitter Voltage VCEO 15 V Emitter Base Voltage VEBO 5.0 V Collector Curre

Другие транзисторы... CSD600K , CSD600KD , CSD600KE , CSD600KF , CSD611 , CSD655 , CSD655D , CSD655E , 2N2222A , CSD786 , CSD786Q , CSD786R , CSD786S , CSD794 , CSD794A , CSD794AO , CSD794AR .

History: BC838 | TSC143TNND03

 

 

 


 
↑ Back to Top
.