Справочник транзисторов. CSD655F

 

Биполярный транзистор CSD655F Даташит. Аналоги


   Наименование производителя: CSD655F
   Тип материала: Si
   Полярность: NPN
   Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.5 W
   Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 30 V
   Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 15 V
   Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 5 V
   Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 0.7 A
   Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C
   Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 250 MHz
   Ёмкость коллекторного перехода (Cc): 30 pf
   Статический коэффициент передачи тока (hfe): 600
   Корпус транзистора: TO-92
 

 Аналог (замена) для CSD655F

   - подбор ⓘ биполярного транзистора по параметрам

 

CSD655F Datasheet (PDF)

 8.1. Size:86K  cdil
 csd655.pdf pdf_icon

CSD655F

Continental Device India LimitedAn ISO/TS 16949, ISO 9001 and ISO 14001 Certified CompanyNPN EPITAXIAL PLANAR SILICON TRANSISTOR CSD655(9AW)TO-92BCEMarking : As BelowABSOLUTE MAXIMUM RATINGS(Ta=25deg C unless otherwise specified)DESCRIPTION SYMBOL VALUE UNITCollector -Base Voltage VCBO 30 VCollector -Emitter Voltage VCEO 15 VEmitter Base Voltage VEBO 5.0 VCollector Curre

Другие транзисторы... 2SA1803O , 2SA1803R , 2SA1804 , 2SA1804O , 2SA1804R , 2SA1805 , 2SA1805O , 2SA1805R , 8050 , 2SA181 , 2SA1810 , 2SA1810B , 2SA1810C , 2SA1811 , 2SA1815 , 2SA1815-3 , 2SA1815-4 .

History: BCW92KB | BCX53TC | CSC2001 | 2SC265

 

 
Back to Top

 


 
.