P2N2907A Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: P2N2907A  📄📄 

Material: Si

Polaridad de transistor: PNP

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Disipación total del dispositivo (Pc): 0.625 W

Tensión colector-base (Vcb): 60 V

Tensión colector-emisor (Vce): 60 V

Tensión emisor-base (Veb): 5 V

Corriente del colector DC máxima (Ic): 0.3 A

Temperatura operativa máxima (Tj): 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

Transición de frecuencia (fT): 200 MHz

Capacitancia de salida (Cc): 8 pF

Ganancia de corriente contínua (hFE): 75

Encapsulados: TO-92

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P2N2907A datasheet

 ..1. Size:162K  onsemi
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P2N2907A

P2N2907A Amplifier Transistor PNP Silicon Features These are Pb--Free Devices* http //onsemi.com COLLECTOR 1 MAXIMUM RATINGS Rating Symbol Value Unit 2 BASE Collector--Emitter Voltage VCEO --60 Vdc Collector--Base Voltage VCBO --60 Vdc 3 Emitter--Base Voltage VEBO --5.0 Vdc EMITTER Collector Current -- Continuous IC --600 mAdc Total Device Dissipation @ TA =25 C PD 625 mW

 0.1. Size:240K  motorola
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P2N2907A

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P2N2907A

Continental Device India Limited An ISO/TS 16949, ISO 9001 and ISO 14001 Certified Company PNP SILICON PLANAR EPITAXIAL TRANSISTORS P2N2907 P2N2907A TO-92 Plastic Package E CB Designed for switching and linear applications, DC amplifier and driver for industrial applications ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (Ta=25 C Unless Specified Otherwise) DESCRIPTION SYMBOL P2N2907 P2N2907A UNIT VCEO

Otros transistores... CSDL468, CSL13003, CTU83, CVL639, CVL640, MZT3055, P2N2369, P2N2369A, TIP31C, PN100, PN200, 2CF2325, SL100, 2N23867, 2N3055HV, 2N6371HV, A1941