P2N2907A - описание и поиск аналогов

 

Аналоги P2N2907A. Основные параметры


   Наименование производителя: P2N2907A
   Тип материала: Si
   Полярность: PNP
   Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.625 W
   Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 60 V
   Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 60 V
   Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 5 V
   Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 0.3 A
   Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C
   Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 200 MHz
   Ёмкость коллекторного перехода (Cc): 8 pf
   Статический коэффициент передачи тока (hfe): 75
   Корпус транзистора: TO-92

 Аналоги (замена) для P2N2907A

   - подбор ⓘ биполярного транзистора по параметрам

 

P2N2907A даташит

 ..1. Size:162K  onsemi
 p2n2907a.pdf pdf_icon

P2N2907A

P2N2907A Amplifier Transistor PNP Silicon Features These are Pb--Free Devices* http //onsemi.com COLLECTOR 1 MAXIMUM RATINGS Rating Symbol Value Unit 2 BASE Collector--Emitter Voltage VCEO --60 Vdc Collector--Base Voltage VCBO --60 Vdc 3 Emitter--Base Voltage VEBO --5.0 Vdc EMITTER Collector Current -- Continuous IC --600 mAdc Total Device Dissipation @ TA =25 C PD 625 mW

 0.1. Size:240K  motorola
 mtp2n2907a.pdf pdf_icon

P2N2907A

 7.1. Size:91K  cdil
 p2n2907 a.pdf pdf_icon

P2N2907A

Continental Device India Limited An ISO/TS 16949, ISO 9001 and ISO 14001 Certified Company PNP SILICON PLANAR EPITAXIAL TRANSISTORS P2N2907 P2N2907A TO-92 Plastic Package E CB Designed for switching and linear applications, DC amplifier and driver for industrial applications ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (Ta=25 C Unless Specified Otherwise) DESCRIPTION SYMBOL P2N2907 P2N2907A UNIT VCEO

Другие транзисторы... CSDL468 , CSL13003 , CTU83 , CVL639 , CVL640 , MZT3055 , P2N2369 , P2N2369A , A1013 , PN100 , PN200 , 2CF2325 , SL100 , 2N23867 , 2N3055HV , 2N6371HV , A1941 .

History: P2N2369 | 3DD2553

 

 

 


 
↑ Back to Top
.