P2N2907A datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование производителя: P2N2907A  📄📄 

Тип материала: Si

Полярность: PNP

Предельные значения

Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.625 W

Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 60 V

Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 60 V

Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 5 V

Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 0.3 A

Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C

Электрические характеристики

Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 200 MHz

Ёмкость коллекторного перехода (Cc): 8 pf

Статический коэффициент передачи тока (hFE): 75

Корпус транзистора: TO-92

  📄📄 Копировать 

 Аналоги (замена) для P2N2907A

- подборⓘ биполярного транзистора по параметрам

 

P2N2907A даташит

 ..1. Size:162K  onsemi
 p2n2907a.pdf pdf_icon

P2N2907A

P2N2907A Amplifier Transistor PNP Silicon Features These are Pb--Free Devices* http //onsemi.com COLLECTOR 1 MAXIMUM RATINGS Rating Symbol Value Unit 2 BASE Collector--Emitter Voltage VCEO --60 Vdc Collector--Base Voltage VCBO --60 Vdc 3 Emitter--Base Voltage VEBO --5.0 Vdc EMITTER Collector Current -- Continuous IC --600 mAdc Total Device Dissipation @ TA =25 C PD 625 mW

 0.1. Size:240K  motorola
 mtp2n2907a.pdf pdf_icon

P2N2907A

 7.1. Size:91K  cdil
 p2n2907 a.pdf pdf_icon

P2N2907A

Continental Device India Limited An ISO/TS 16949, ISO 9001 and ISO 14001 Certified Company PNP SILICON PLANAR EPITAXIAL TRANSISTORS P2N2907 P2N2907A TO-92 Plastic Package E CB Designed for switching and linear applications, DC amplifier and driver for industrial applications ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (Ta=25 C Unless Specified Otherwise) DESCRIPTION SYMBOL P2N2907 P2N2907A UNIT VCEO

Другие транзисторы: CSDL468, CSL13003, CTU83, CVL639, CVL640, MZT3055, P2N2369, P2N2369A, TIP31C, PN100, PN200, 2CF2325, SL100, 2N23867, 2N3055HV, 2N6371HV, A1941