BU908F Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: BU908F
Material: Si
Polaridad de transistor: NPN
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Disipación total del dispositivo (Pc): 34 W
Tensión colector-base (Vcb): 1500 V
Tensión colector-emisor (Vce): 700 V
Tensión emisor-base (Veb): 5 V
Corriente del colector DC máxima (Ic): 8 A
Temperatura operativa máxima (Tj): 150 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
Transición de frecuencia (fT): 7 MHz
Ganancia de corriente contínua (hFE): 8
Encapsulados: TO-3P
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BU908F datasheet
bu908.pdf
isc Silicon NPN Power Transistor BU908 DESCRIPTION Collector-Emitter Sustaining Voltage- V = 700V (Min) CEO(SUS) High Power Dissipation- P = 125W@T = 25 D C Minimum Lot-to-Lot variations for robust device performance and reliable operation APPLICATIONS Designed for use in color TV horizontal deflection circuits. ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS(T =25 ) a SYMBOL PARAMETER
Otros transistores... SL100, 2N23867, 2N3055HV, 2N6371HV, A1941, BD237S, BD675BPL, BF422BPL, 2SD669A, BUF508A, BUX84A, C5198, CD13002, CD81, CD83, CDL13005, CDL13005D
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Liste
Recientemente añadidas las descripciónes de los transistores:
BJT: GA1A4M | SBT42 | 2SA200-Y | 2SA200-O | 2SD882-Q | 2SD882-P | 2SD882-E | 2SC945-L | 2SC945-H | 2SC4226-R23 | 2SC3357-F | 2SC3357-E | 2SC3356-R26 | 2SC3356-R24 | 2SC3356-R23 | 2SB772-Q | 2SB772-P | 2SB772-E | 2SA1015-L | 2SA1015-H | HSS8550
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