BU908F datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование производителя: BU908F

Тип материала: Si

Полярность: NPN

Предельные значения

Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 34 W

Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 1500 V

Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 700 V

Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 5 V

Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 8 A

Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C

Электрические характеристики

Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 7 MHz

Статический коэффициент передачи тока (hFE): 8

Корпус транзистора: TO-3P

 Аналоги (замена) для BU908F

- подборⓘ биполярного транзистора по параметрам

 

BU908F даташит

 ..1. Size:235K  cdil
 bu908f.pdf pdf_icon

BU908F

 9.1. Size:215K  inchange semiconductor
 bu908.pdf pdf_icon

BU908F

isc Silicon NPN Power Transistor BU908 DESCRIPTION Collector-Emitter Sustaining Voltage- V = 700V (Min) CEO(SUS) High Power Dissipation- P = 125W@T = 25 D C Minimum Lot-to-Lot variations for robust device performance and reliable operation APPLICATIONS Designed for use in color TV horizontal deflection circuits. ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS(T =25 ) a SYMBOL PARAMETER

Другие транзисторы: SL100, 2N23867, 2N3055HV, 2N6371HV, A1941, BD237S, BD675BPL, BF422BPL, 2SD669A, BUF508A, BUX84A, C5198, CD13002, CD81, CD83, CDL13005, CDL13005D