CJD110 . Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: CJD110
Material: Si
Polaridad de transistor: NPN
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Disipación total del dispositivo (Pc): 20 W
Tensión colector-base (Vcb): 60 V
Tensión colector-emisor (Vce): 60 V
Tensión emisor-base (Veb): 5 V
Corriente del colector DC máxima (Ic): 4 A
Temperatura operativa máxima (Tj): 150 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
Transición de frecuencia (ft): 25 MHz
Capacitancia de salida (Cc): 100 pF
Ganancia de corriente contínua (hfe): 1000
Paquete / Cubierta: TO-252 DPAK
Búsqueda de reemplazo de transistor bipolar CJD110
CJD110 Datasheet (PDF)
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cjd110 5.pdf
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Continental Device India LimitedAn ISO/TS 16949, ISO 9001 and ISO 14001 Certified CompanyCJD110 NPNCOMPLEMENTARY DARLINGTON PLASTIC POWER TRANSISTORSCJD115 PNPDPAK (TO-252)Plastic PackageDesigned for General Purpose Power and Switching such as Output or Driver stages in Applications such as SwitchingRegulators, Converters and Power AmplifiersABSOLUTE MAXIMUM RATINGS DESCRIPT
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