CJD110 datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование производителя: CJD110

Тип материала: Si

Полярность: NPN

Предельные значения

Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 20 W

Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 60 V

Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 60 V

Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 5 V

Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 4 A

Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C

Электрические характеристики

Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 25 MHz

Ёмкость коллекторного перехода (Cc): 100 pf

Статический коэффициент передачи тока (hFE): 1000

Корпус транзистора: TO-252 DPAK

 Аналоги (замена) для CJD110

- подборⓘ биполярного транзистора по параметрам

 

CJD110 даташит

 ..1. Size:99K  cdil
 cjd110 5.pdf pdf_icon

CJD110

Continental Device India Limited An ISO/TS 16949, ISO 9001 and ISO 14001 Certified Company CJD110 NPN COMPLEMENTARY DARLINGTON PLASTIC POWER TRANSISTORS CJD115 PNP DPAK (TO-252) Plastic Package Designed for General Purpose Power and Switching such as Output or Driver stages in Applications such as Switching Regulators, Converters and Power Amplifiers ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS DESCRIPT

Другие транзисторы: CFD2374A, CFD2374AP, CFD2374AQ, CFD2374P, CFD2374Q, CFD2375, CFD2375P, CFD2375Q, S9014, CJD115, CJD175, CJD176, CJD177, CJD178, CJD179, CJD180, CJD204R