CJD81 Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: CJD81

Material: Si

Polaridad de transistor: NPN

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Disipación total del dispositivo (Pc): 0.9 W

Tensión colector-base (Vcb): 30 V

Tensión colector-emisor (Vce): 10 V

Tensión emisor-base (Veb): 6 V

Corriente del colector DC máxima (Ic): 3 A

Temperatura operativa máxima (Tj): 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

Transición de frecuencia (fT): 200 MHz

Capacitancia de salida (Cc): 30 pF

Ganancia de corriente contínua (hFE): 140

Encapsulados: TO-252 DPAK

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CJD81 datasheet

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CJD81

Continental Device India Limited An ISO/TS 16949, ISO 9001 and ISO 14001 Certified Company NPN SILICON POWER TRANSISTOR CJD81 DPAK (TO-252) Plastic Package For High Current Driver Applications ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (Ta=25 C ) DESCRIPTION SYMBOL VALUE UNITS Collector Base Voltage VCBO 30 V Collector Emitter Voltage VCEO 10 V Emitter Base Voltage VEBO 6.0 V Collector Current IC 3.0

Otros transistores... CJD175, CJD176, CJD177, CJD178, CJD179, CJD180, CJD204R, CJD3439, 2SA1837, CJD86, CJE13007, CJF100, CJF101, CJF102, CJF105, CJF106, CJF107