CJD81 datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование производителя: CJD81

Тип материала: Si

Полярность: NPN

Предельные значения

Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.9 W

Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 30 V

Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 10 V

Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 6 V

Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 3 A

Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C

Электрические характеристики

Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 200 MHz

Ёмкость коллекторного перехода (Cc): 30 pf

Статический коэффициент передачи тока (hFE): 140

Корпус транзистора: TO-252 DPAK

 Аналоги (замена) для CJD81

- подборⓘ биполярного транзистора по параметрам

 

CJD81 даташит

 ..1. Size:130K  cdil
 cjd81.pdf pdf_icon

CJD81

Continental Device India Limited An ISO/TS 16949, ISO 9001 and ISO 14001 Certified Company NPN SILICON POWER TRANSISTOR CJD81 DPAK (TO-252) Plastic Package For High Current Driver Applications ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (Ta=25 C ) DESCRIPTION SYMBOL VALUE UNITS Collector Base Voltage VCBO 30 V Collector Emitter Voltage VCEO 10 V Emitter Base Voltage VEBO 6.0 V Collector Current IC 3.0

Другие транзисторы: CJD175, CJD176, CJD177, CJD178, CJD179, CJD180, CJD204R, CJD3439, 2SA1837, CJD86, CJE13007, CJF100, CJF101, CJF102, CJF105, CJF106, CJF107