CSB817YF . Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: CSB817YF
Material: Si
Polaridad de transistor: PNP
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Disipación total del dispositivo (Pc): 90 W
Tensión colector-base (Vcb): 160 V
Tensión colector-emisor (Vce): 140 V
Tensión emisor-base (Veb): 6 V
Corriente del colector DC máxima (Ic): 12 A
Temperatura operativa máxima (Tj): 150 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
Transición de frecuencia (ft): 15 MHz
Capacitancia de salida (Cc): 300 pF
Ganancia de corriente contínua (hfe): 100
Paquete / Cubierta: TO-3P
Búsqueda de reemplazo de transistor bipolar CSB817YF
CSB817YF Datasheet (PDF)
csb817f.pdf
Continental Device India LimitedAn ISO/TS 16949, ISO 9001 and ISO 14001 Certified CompanyPNP POWER TRANSISTOR CSB 817FTO 3PPlastic PackageBCEComplementary CSD1047FAudio Power Amplifier and DC to DC ConverterABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (Ta=25C unless specified otherwise )DESCRIPTION SYMBOL MIN TYP MAX UNITCollector -Base Voltage(open emitter) VCBO 160 VCollector -Emitter
csb810.pdf
Continental Device India LimitedAn ISO/TS 16949, ISO 9001 and ISO 14001 Certified CompanyPNP SILICON PLASTIC POWER DARLINGTON TRANSISTOR CSB810(9AW)TO-220 MARKING : CSB810Designed for Relay Drive and Motor DriveABSOLUTE MAXIMUM RATINGS(Ta=25deg C)DESCRIPTION SYMBOL VALUE UNITCollector -Base Voltage VCBO 110 VCollector -Emitter Voltage VCEO 110 VEmitter Base Voltage VEBO
Otros transistores... 2N3200 , 2N3201 , 2N3202 , 2N3203 , 2N3204 , 2N3205 , 2N3206 , 2N3207 , B772 , 2N3209 , 2N3209AQF , 2N3209CSM , 2N3209DCSM , 2N3209L , 2N321 , 2N3210 , 2N3211 .
History: BCW61CLT1
History: BCW61CLT1
Liste
Recientemente añadidas las descripciónes de los transistores:
BJT: GN1A3Q | D965-KEHE | 2SD662B | 2SD661A | 2SC3080 | S9018L | S9012J | 2SA73L | 2SA73H | 2SA1015H | WT955 | TS13005CK | TP5001P3 | SS8550W-L | SS8550W-J | SS8550W-H | SS8550E | SS8550D | SS8550C | SS8050E | SS8050D