CSB817YF - аналоги и даташиты биполярного транзистора

 

CSB817YF - Даташиты. Аналоги. Основные параметры


   Наименование производителя: CSB817YF
   Тип материала: Si
   Полярность: PNP
   Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 90 W
   Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 160 V
   Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 140 V
   Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 6 V
   Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 12 A
   Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C
   Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 15 MHz
   Ёмкость коллекторного перехода (Cc): 300 pf
   Статический коэффициент передачи тока (hfe): 100
   Корпус транзистора: TO-3P

 Аналоги (замена) для CSB817YF

 

CSB817YF Datasheet (PDF)

 8.1. Size:223K  cdil
 csb817f.pdf pdf_icon

CSB817YF

Continental Device India Limited An ISO/TS 16949, ISO 9001 and ISO 14001 Certified Company PNP POWER TRANSISTOR CSB 817F TO 3P Plastic Package B C E Complementary CSD1047F Audio Power Amplifier and DC to DC Converter ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (Ta=25 C unless specified otherwise ) DESCRIPTION SYMBOL MIN TYP MAX UNIT Collector -Base Voltage(open emitter) VCBO 160 V Collector -Emitter

 9.1. Size:133K  cdil
 csb810.pdf pdf_icon

CSB817YF

Continental Device India Limited An ISO/TS 16949, ISO 9001 and ISO 14001 Certified Company PNP SILICON PLASTIC POWER DARLINGTON TRANSISTOR CSB810 (9AW) TO-220 MARKING CSB 810 Designed for Relay Drive and Motor Drive ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS(Ta=25deg C) DESCRIPTION SYMBOL VALUE UNIT Collector -Base Voltage VCBO 110 V Collector -Emitter Voltage VCEO 110 V Emitter Base Voltage VEBO

Другие транзисторы... CSB507 , CSB507C , CSB507D , CSB507E , CSB507F , CSB624 , CSB817F , CSB817OF , 2N2222A , CSB834 , CSB834O , CSB834Y , CSB856 , CSB856A , CSB856B , CSB856C , CSB857 .

History: BD412

 

 
Back to Top

 


 
.