CSD2495 Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: CSD2495

Material: Si

Polaridad de transistor: NPN

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Disipación total del dispositivo (Pc): 30 W

Tensión colector-emisor (Vce): 110 V

Corriente del colector DC máxima (Ic): 6 A

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

Transición de frecuencia (fT): 60 MHz

Ganancia de corriente contínua (hFE): 5000

Encapsulados: TO-220

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CSD2495 datasheet

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CSD2495

Continental Device India Limited An ISO/TS 16949, ISO 9001 and ISO 14001 Certified Company NPN SILICON PLANAR EPITAXIAL TRANSISTOR CSD2470 TO-92 Plastic Package B C E ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS DESCRIPTION SYMBOL VALUE UNITS VCBO Collector Base Voltage 15 V VCEO Collector Emitter Voltage 10 V VEBO Emitter Base Voltage 7.0 V IC Collector Current 5.0 A *ICP Collector Current Peak

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