CSD2495. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: CSD2495

Тип материала: Si

Полярность: NPN

Предельные значения

Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 30 W

Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 110 V

Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 6 A

Электрические характеристики

Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 60 MHz

Статический коэффициент передачи тока (hFE): 5000

Корпус транзистора: TO-220

 Аналоги (замена) для CSD2495

- подборⓘ биполярного транзистора по параметрам

 

CSD2495 даташит

 9.1. Size:235K  cdil
 csd2470.pdf pdf_icon

CSD2495

Continental Device India Limited An ISO/TS 16949, ISO 9001 and ISO 14001 Certified Company NPN SILICON PLANAR EPITAXIAL TRANSISTOR CSD2470 TO-92 Plastic Package B C E ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS DESCRIPTION SYMBOL VALUE UNITS VCBO Collector Base Voltage 15 V VCEO Collector Emitter Voltage 10 V VEBO Emitter Base Voltage 7.0 V IC Collector Current 5.0 A *ICP Collector Current Peak

Другие транзисторы: CSD1563Q, CSD1563R, CSD1616, CSD1616G, CSD1616L, CSD1616Y, CSD1638, CSD1833, 2SD2499, CSD545, CSD545D, CSD545E, CSD545F, CSD545G, CSL13002, MZT122, MZT127