2SC4829 Todos los transistores

 

2SC4829 . Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: 2SC4829
   Material: Si
   Polaridad de transistor: NPN

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS


   Disipación total del dispositivo (Pc): 0.9 W
   Tensión colector-base (Vcb): 100 V
   Tensión colector-emisor (Vce): 100 V
   Tensión emisor-base (Veb): 3 V
   Corriente del colector DC máxima (Ic): 0.2 A
   Temperatura operativa máxima (Tj): 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   Transición de frecuencia (ft): 240 MHz
   Capacitancia de salida (Cc): 4.2 pF
   Ganancia de corriente contínua (hfe): 60
   Paquete / Cubierta: TO-92MOD
 

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2SC4829 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:30K  hitachi
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2SC4829

2SC4829Silicon NPN EpitaxialApplicationHigh frequency amplifierFeatures High frequency characteristicsfT = 1100 MHz Typ High voltage and small output capacitanceVCEO = 100 V, Cob = 4.2 pF Typ Suitable for wide band video amplifierOutlineTO-92MOD1. Emitter2. Collector3. Base3212SC4829Ordering InformationhFE2SC4829B 60 to 1202SC4829C 100 to 20

 8.1. Size:743K  1
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2SC4829

Ordering number : ENN5495A2SA1852 / 2SC4826PNP / NPN Epitaxial Planar Silicon Transistors2SA1852 / 2SC4826High Definition CRT DisplayVideo Output ApplicationsApplicationsPackage Dimensions High definition CRT display video output,unit : mmwide-band amplifer.2084B[2SA1852 / 2SC4826]Features 4.51.9 2.610.51.2 1.4 Adoption of FBET process. High fT : fT=

 8.3. Size:109K  sanyo
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2SC4829

Ordering number:EN4717PNP/NPN Epitaxial Planar Silicon Transistor2SA1853/2SC4827High Definition CRT DisplayVideo Output ApplicationsApplications Package Dimensions High-definition CRT display video output. Wide-unit:mmband amplifier.2084B[2SA1853/2SC4827]Features Adoption of FBET process. High fT : fT=300MHz. High breakdown voltage : VCEO=200V. Small

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History: 2SD1931 | PSSI2021SAY | BC448 | BCV61C

 

 
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