2SC4829 Todos los transistores

 

2SC4829 . Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: 2SC4829
   Material: Si
   Polaridad de transistor: NPN

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS


   Disipación total del dispositivo (Pc): 0.9 W
   Tensión colector-base (Vcb): 100 V
   Tensión colector-emisor (Vce): 100 V
   Tensión emisor-base (Veb): 3 V
   Corriente del colector DC máxima (Ic): 0.2 A
   Temperatura operativa máxima (Tj): 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   Transición de frecuencia (ft): 240 MHz
   Capacitancia de salida (Cc): 4.2 pF
   Ganancia de corriente contínua (hfe): 60
   Paquete / Cubierta: TO-92MOD

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2SC4829 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:30K  hitachi
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2SC4829

2SC4829 Silicon NPN Epitaxial Application High frequency amplifier Features High frequency characteristics fT = 1100 MHz Typ High voltage and small output capacitance VCEO = 100 V, Cob = 4.2 pF Typ Suitable for wide band video amplifier Outline TO-92MOD 1. Emitter 2. Collector 3. Base 3 2 1 2SC4829 Ordering Information hFE 2SC4829B 60 to 120 2SC4829C 100 to 20

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2SC4829

Ordering number ENN5495A 2SA1852 / 2SC4826 PNP / NPN Epitaxial Planar Silicon Transistors 2SA1852 / 2SC4826 High Definition CRT Display Video Output Applications Applications Package Dimensions High definition CRT display video output, unit mm wide-band amplifer. 2084B [2SA1852 / 2SC4826] Features 4.5 1.9 2.6 10.5 1.2 1.4 Adoption of FBET process. High fT fT=

 8.3. Size:109K  sanyo
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2SC4829

Ordering number EN4717 PNP/NPN Epitaxial Planar Silicon Transistor 2SA1853/2SC4827 High Definition CRT Display Video Output Applications Applications Package Dimensions High-definition CRT display video output. Wide- unit mm band amplifier. 2084B [2SA1853/2SC4827] Features Adoption of FBET process. High fT fT=300MHz. High breakdown voltage VCEO=200V. Small

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History: 2SB92

 

 
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