Справочник транзисторов. 2SC4829

 

Биполярный транзистор 2SC4829 Даташит. Аналоги


   Наименование производителя: 2SC4829
   Тип материала: Si
   Полярность: NPN
   Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.9 W
   Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 100 V
   Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 100 V
   Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 3 V
   Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 0.2 A
   Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C
   Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 240 MHz
   Ёмкость коллекторного перехода (Cc): 4.2 pf
   Статический коэффициент передачи тока (hfe): 60
   Корпус транзистора: TO-92MOD
 

 Аналог (замена) для 2SC4829

   - подбор ⓘ биполярного транзистора по параметрам

 

2SC4829 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:30K  hitachi
 2sc4829.pdf pdf_icon

2SC4829

2SC4829Silicon NPN EpitaxialApplicationHigh frequency amplifierFeatures High frequency characteristicsfT = 1100 MHz Typ High voltage and small output capacitanceVCEO = 100 V, Cob = 4.2 pF Typ Suitable for wide band video amplifierOutlineTO-92MOD1. Emitter2. Collector3. Base3212SC4829Ordering InformationhFE2SC4829B 60 to 1202SC4829C 100 to 20

 8.1. Size:743K  1
 2sc482 2sc483 2sc484 2sc485 2sc486 2sc487 2sc488 2sc489.pdf pdf_icon

2SC4829

 8.2. Size:26K  sanyo
 2sa1852 2sc4826.pdf pdf_icon

2SC4829

Ordering number : ENN5495A2SA1852 / 2SC4826PNP / NPN Epitaxial Planar Silicon Transistors2SA1852 / 2SC4826High Definition CRT DisplayVideo Output ApplicationsApplicationsPackage Dimensions High definition CRT display video output,unit : mmwide-band amplifer.2084B[2SA1852 / 2SC4826]Features 4.51.9 2.610.51.2 1.4 Adoption of FBET process. High fT : fT=

 8.3. Size:109K  sanyo
 2sc4827.pdf pdf_icon

2SC4829

Ordering number:EN4717PNP/NPN Epitaxial Planar Silicon Transistor2SA1853/2SC4827High Definition CRT DisplayVideo Output ApplicationsApplications Package Dimensions High-definition CRT display video output. Wide-unit:mmband amplifier.2084B[2SA1853/2SC4827]Features Adoption of FBET process. High fT : fT=300MHz. High breakdown voltage : VCEO=200V. Small

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие транзисторы... 2SC4808 , 2SC4809 , 2SC4810 , 2SC4811 , 2SC4813 , 2SC4814 , 2SC4815 , 2SC4821 , D882P , 2SC4835 , 2SC4836 , 2SC4838 , 2SC4839 , 2SC4840 , 2SC4841 , 2SC4842 , 2SC4843 .

History: BUL1203EFP | 2SC4821 | 2STF2550 | 2N4966 | PMST2907A | 2SC4814 | HI127

 

 
Back to Top

 


 
.