2N6235R Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: 2N6235R
Material: Si
Polaridad de transistor: NPN
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Disipación total del dispositivo (Pc): 50 W
Tensión colector-base (Vcb): 300 V
Tensión colector-emisor (Vce): 275 V
Tensión emisor-base (Veb): 6 V
Corriente del colector DC máxima (Ic): 5 A
Temperatura operativa máxima (Tj): 200 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
Transición de frecuencia (fT): 20 MHz
Capacitancia de salida (Cc): 250 pF
Ganancia de corriente contínua (hFE): 25
Encapsulados: TO66
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2N6235R datasheet
2n6235x.pdf
2N6235X Dimensions in mm (inches). Bipolar NPN Device in a Hermetically sealed TO66 6.35 (0.250) Metal Package. 8.64 (0.340) 3.68 (0.145) rad. 3.61 (0.142) max. 4.08(0.161) rad. Bipolar NPN Device. 1 2 VCEO = 275V IC = 5A All Semelab hermetically sealed products can be processed in accordance with the requirements of BS, CECC and JAN, JANTX, JANTXV and JANS spec
2n6235.pdf
2N6235 Dimensions in mm (inches). Bipolar NPN Device in a Hermetically sealed TO66 6.35 (0.250) Metal Package. 8.64 (0.340) 3.68 (0.145) rad. 3.61 (0.142) max. 4.08(0.161) rad. Bipolar NPN Device. 1 2 VCEO = 325V IC = 5A All Semelab hermetically sealed products can be processed in accordance with the requirements of BS, CECC and JAN, JANTX, JANTXV and JANS speci
2n6235.pdf
isc Silicon NPN Power Transistor 2N6235 DESCRIPTION High Collector-Emitter Sustaining Voltage- V = 325V(Min) CEO(SUS) DC Current Gain- h = 25-125@ I = 1A FE C Low Collector-Emitter Saturation Voltage- V )= 0.5V(Max)@ I = 1A CE(sat C Minimum Lot-to-Lot variations for robust device performance and reliable operation APPLICATIONS Designed f for high-voltage medium pow
Otros transistores... 2N623 , 2N6230 , 2N6231 , 2N6232 , 2N6232-4 , 2N6233 , 2N6234 , 2N6235 , 2N5401 , 2N624 , 2N6246 , 2N6247 , 2N6248 , 2N6249 , 2N625 , 2N6250 , 2N6251 .
History: 2SC2220
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