2N6235R - описание и поиск аналогов

 

2N6235R. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: 2N6235R

Тип материала: Si

Полярность: NPN

Предельные значения

Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 50 W

Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 300 V

Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 275 V

Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 6 V

Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 5 A

Предельная температура PN-перехода (Tj): 200 °C

Электрические характеристики

Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 20 MHz

Ёмкость коллекторного перехода (Cc): 250 pf

Статический коэффициент передачи тока (hFE): 25

Корпус транзистора: TO66

 Аналоги (замена) для 2N6235R

- подборⓘ биполярного транзистора по параметрам

 

2N6235R даташит

 8.1. Size:10K  semelab
2n6235x.pdfpdf_icon

2N6235R

2N6235X Dimensions in mm (inches). Bipolar NPN Device in a Hermetically sealed TO66 6.35 (0.250) Metal Package. 8.64 (0.340) 3.68 (0.145) rad. 3.61 (0.142) max. 4.08(0.161) rad. Bipolar NPN Device. 1 2 VCEO = 275V IC = 5A All Semelab hermetically sealed products can be processed in accordance with the requirements of BS, CECC and JAN, JANTX, JANTXV and JANS spec

 8.2. Size:11K  semelab
2n6235.pdfpdf_icon

2N6235R

2N6235 Dimensions in mm (inches). Bipolar NPN Device in a Hermetically sealed TO66 6.35 (0.250) Metal Package. 8.64 (0.340) 3.68 (0.145) rad. 3.61 (0.142) max. 4.08(0.161) rad. Bipolar NPN Device. 1 2 VCEO = 325V IC = 5A All Semelab hermetically sealed products can be processed in accordance with the requirements of BS, CECC and JAN, JANTX, JANTXV and JANS speci

 8.3. Size:187K  inchange semiconductor
2n6235.pdfpdf_icon

2N6235R

isc Silicon NPN Power Transistor 2N6235 DESCRIPTION High Collector-Emitter Sustaining Voltage- V = 325V(Min) CEO(SUS) DC Current Gain- h = 25-125@ I = 1A FE C Low Collector-Emitter Saturation Voltage- V )= 0.5V(Max)@ I = 1A CE(sat C Minimum Lot-to-Lot variations for robust device performance and reliable operation APPLICATIONS Designed f for high-voltage medium pow

Другие транзисторы: 2N623, 2N6230, 2N6231, 2N6232, 2N6232-4, 2N6233, 2N6234, 2N6235, 2N5401, 2N624, 2N6246, 2N6247, 2N6248, 2N6249, 2N625, 2N6250, 2N6251

 

 

 

 

↑ Back to Top
.