2SC5110 Todos los transistores

 

2SC5110 . Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: 2SC5110
   Código: MGO_MGY
   Material: Si
   Polaridad de transistor: NPN

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS


   Disipación total del dispositivo (Pc): 0.1 W
   Tensión colector-base (Vcb): 20 V
   Tensión colector-emisor (Vce): 10 V
   Tensión emisor-base (Veb): 3 V
   Corriente del colector DC máxima (Ic): 0.06 A
   Temperatura operativa máxima (Tj): 125 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   Transición de frecuencia (ft): 4000 MHz
   Capacitancia de salida (Cc): 0.7 pF
   Ganancia de corriente contínua (hfe): 80
   Paquete / Cubierta: SC-70
 

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2SC5110 Datasheet (PDF)

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2SC5110

2SC5110 TOSHIBA Transistor Silicon NPN Epitaxial Planar Type 2SC5110 For VCO Application Unit: mm Maximum Ratings (Ta == 25C) ==Characteristics Symbol Rating UnitCollector-base voltage VCBO 20 VCollector-emitter voltage VCEO 10 VEmitter-base voltage VEBO 3 VBase current IB 30 mACollector current IC 60 mACollector power dissipation PC 100 mWJunction temperature

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2SC5110

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2SC5110

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2SC5110

2SC5111FT TOSHIBA Transistor Silicon NPN Epitaxial Planar Type 2SC5111FT For VCO Application Unit: mm Maximum Ratings (Ta == 25C) ==Characteristics Symbol Rating UnitCollector-base voltage VCBO 20 VCollector-emitter voltage VCEO 10 VEmitter-base voltage VEBO 3 VBase current IB 30 mACollector current IC 60 mACollector power dissipation PC 100 mWJunction tempera

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History: CSA952M | SE3001 | 2SC3648S-TD-E | KRA738U | BC817DS | 2SC3422Y | BSV65RA

 

 
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