2SC5110 - описание и поиск аналогов

 

2SC5110 - Аналоги. Основные параметры


   Наименование производителя: 2SC5110
   Маркировка: MGO_MGY
   Тип материала: Si
   Полярность: NPN
   Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.1 W
   Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 20 V
   Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 10 V
   Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 3 V
   Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 0.06 A
   Предельная температура PN-перехода (Tj): 125 °C
   Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 4000 MHz
   Ёмкость коллекторного перехода (Cc): 0.7 pf
   Статический коэффициент передачи тока (hfe): 80
   Корпус транзистора: SC-70

 Аналоги (замена) для 2SC5110

   - подбор ⓘ биполярного транзистора по параметрам

 

2SC5110 - технические параметры

 ..1. Size:246K  toshiba
2sc5110.pdfpdf_icon

2SC5110

2SC5110 TOSHIBA Transistor Silicon NPN Epitaxial Planar Type 2SC5110 For VCO Application Unit mm Maximum Ratings (Ta = = 25 C) = = Characteristics Symbol Rating Unit Collector-base voltage VCBO 20 V Collector-emitter voltage VCEO 10 V Emitter-base voltage VEBO 3 V Base current IB 30 mA Collector current IC 60 mA Collector power dissipation PC 100 mW Junction temperature

 8.3. Size:132K  toshiba
2sc5111ft.pdfpdf_icon

2SC5110

2SC5111FT TOSHIBA Transistor Silicon NPN Epitaxial Planar Type 2SC5111FT For VCO Application Unit mm Maximum Ratings (Ta = = 25 C) = = Characteristics Symbol Rating Unit Collector-base voltage VCBO 20 V Collector-emitter voltage VCEO 10 V Emitter-base voltage VEBO 3 V Base current IB 30 mA Collector current IC 60 mA Collector power dissipation PC 100 mW Junction tempera

Другие транзисторы... 2SC5090 , 2SC5091 , 2SC5093 , 2SC5094 , 2SC5097 , 2SC5098 , 2SC5104 , 2SC5109 , 2SC2383 , 2SC5111 , 2SC5121 , 2SC5125 , 2SC5127 , 2SC5127A , 2SC5136 , 2SC5137 , 2SC5138 .

History: KSD2012G

 

 
Back to Top

 


 
.