2SC5121 Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: 2SC5121 📄📄
Material: Si
Polaridad de transistor: NPN
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Disipación total del dispositivo (Pc): 1.2 W
Tensión colector-base (Vcb): 400 V
Tensión colector-emisor (Vce): 400 V
Tensión emisor-base (Veb): 7 V
Corriente del colector DC máxima (Ic): 0.07 A
Temperatura operativa máxima (Tj): 150 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
Transición de frecuencia (fT): 50 MHz
Capacitancia de salida (Cc): 4 pF
Ganancia de corriente contínua (hFE): 30
Encapsulados: TO-126
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2SC5121 datasheet
2sc5121.pdf
Power Transistors 2SC5121 Silicon NPN triple diffusion planar type For general amplification Unit mm +0.5 8.0 0.1 3.2 0.2 Features High collector to base voltage VCBO 3.16 0.1 High collector to emitter VCEO Small collector output capacitance Cob TO-126 package, which is fitted to a heat sink without any insu- lation parts Absolute Maximum Ratings (TC=25 C) 0.5 0.1
Otros transistores... 2SC5093, 2SC5094, 2SC5097, 2SC5098, 2SC5104, 2SC5109, 2SC5110, 2SC5111, TIP142, 2SC5125, 2SC5127, 2SC5127A, 2SC5136, 2SC5137, 2SC5138, 2SC5139, 2SC5140
Parámetros del transistor bipolar y su interrelación.
History: 2SC5098 | PN4889 | NB014EJ | PN4275 | 2SC3392CY | PN5127
🌐 : EN ES РУ
Liste
Recientemente añadidas las descripciónes de los transistores:
BJT: ZDT6705 | GA1L4Z | GA1A4M | SBT42 | 2SA200-Y | 2SA200-O | 2SD882-Q | 2SD882-P | 2SD882-E | 2SC945-L | 2SC945-H | 2SC4226-R23 | 2SC3357-F | 2SC3357-E | 2SC3356-R26 | 2SC3356-R24 | 2SC3356-R23 | 2SB772-Q | 2SB772-P | 2SB772-E | 2SA1015-L
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