2SC5121 datasheet, аналоги, основные параметры
Наименование производителя: 2SC5121 📄📄
Тип материала: Si
Полярность: NPN
Предельные значения
Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 1.2 W
Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 400 V
Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 400 V
Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 7 V
Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 0.07 A
Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C
Электрические характеристики
Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 50 MHz
Ёмкость коллекторного перехода (Cc): 4 pf
Статический коэффициент передачи тока (hFE): 30
Корпус транзистора: TO-126
📄📄 Копировать
Аналоги (замена) для 2SC5121
- подборⓘ биполярного транзистора по параметрам
2SC5121 даташит
2sc5121.pdf
Power Transistors 2SC5121 Silicon NPN triple diffusion planar type For general amplification Unit mm +0.5 8.0 0.1 3.2 0.2 Features High collector to base voltage VCBO 3.16 0.1 High collector to emitter VCEO Small collector output capacitance Cob TO-126 package, which is fitted to a heat sink without any insu- lation parts Absolute Maximum Ratings (TC=25 C) 0.5 0.1
Другие транзисторы: 2SC5093, 2SC5094, 2SC5097, 2SC5098, 2SC5104, 2SC5109, 2SC5110, 2SC5111, TIP142, 2SC5125, 2SC5127, 2SC5127A, 2SC5136, 2SC5137, 2SC5138, 2SC5139, 2SC5140
Параметры биполярного транзистора и их взаимосвязь
History: NB014EJ | NA31LG | NA21ZH | BD587
🌐 : EN
ES
РУ
Список транзисторов
Обновления
BJT: ZDT6705 | GA1L4Z | GA1A4M | SBT42 | 2SA200-Y | 2SA200-O | 2SD882-Q | 2SD882-P | 2SD882-E | 2SC945-L | 2SC945-H | 2SC4226-R23 | 2SC3357-F | 2SC3357-E | 2SC3356-R26 | 2SC3356-R24 | 2SC3356-R23 | 2SB772-Q | 2SB772-P | 2SB772-E | 2SA1015-L
Popular searches
2sk2586 | 13005 transistor | ecg123a | irfp360 | bc108 equivalent | irfp4568 | mj15004 | ksc2073










