2SC5121 datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование производителя: 2SC5121  📄📄 

Тип материала: Si

Полярность: NPN

Предельные значения

Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 1.2 W

Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 400 V

Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 400 V

Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 7 V

Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 0.07 A

Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C

Электрические характеристики

Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 50 MHz

Ёмкость коллекторного перехода (Cc): 4 pf

Статический коэффициент передачи тока (hFE): 30

Корпус транзистора: TO-126

  📄📄 Копировать 

 Аналоги (замена) для 2SC5121

- подборⓘ биполярного транзистора по параметрам

 

2SC5121 даташит

 ..1. Size:38K  panasonic
2sc5121.pdfpdf_icon

2SC5121

Power Transistors 2SC5121 Silicon NPN triple diffusion planar type For general amplification Unit mm +0.5 8.0 0.1 3.2 0.2 Features High collector to base voltage VCBO 3.16 0.1 High collector to emitter VCEO Small collector output capacitance Cob TO-126 package, which is fitted to a heat sink without any insu- lation parts Absolute Maximum Ratings (TC=25 C) 0.5 0.1

 8.1. Size:120K  1
2sc510 2sc512.pdfpdf_icon

2SC5121

 8.2. Size:210K  toshiba
2sc5129.pdfpdf_icon

2SC5121

 8.3. Size:171K  toshiba
2sc5122.pdfpdf_icon

2SC5121

Другие транзисторы: 2SC5093, 2SC5094, 2SC5097, 2SC5098, 2SC5104, 2SC5109, 2SC5110, 2SC5111, TIP142, 2SC5125, 2SC5127, 2SC5127A, 2SC5136, 2SC5137, 2SC5138, 2SC5139, 2SC5140