2SC5127 Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: 2SC5127 📄📄
Material: Si
Polaridad de transistor: NPN
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Disipación total del dispositivo (Pc): 25 W
Tensión colector-base (Vcb): 800 V
Tensión colector-emisor (Vce): 500 V
Tensión emisor-base (Veb): 8 V
Corriente del colector DC máxima (Ic): 1.5 A
Temperatura operativa máxima (Tj): 150 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
Transición de frecuencia (fT): 20 MHz
Ganancia de corriente contínua (hFE): 8
Encapsulados: TO-220E
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2SC5127 datasheet
2sc5127.pdf
Power Transistors 2SC5127, 2SC5127A Silicon NPN triple diffusion planar type For high breakdown voltage high-speed switching Unit mm 4.6 0.2 Features 9.9 0.3 2.9 0.2 High-speed switching 3.2 0.1 High collector to base voltage VCBO Wide area of safe operation (ASO) Full-pack package with outstanding insulation, which can be in- stalled to the heat sink with one screw 2.
Otros transistores... 2SC5097, 2SC5098, 2SC5104, 2SC5109, 2SC5110, 2SC5111, 2SC5121, 2SC5125, MPSA42, 2SC5127A, 2SC5136, 2SC5137, 2SC5138, 2SC5139, 2SC5140, 2SC5141, 2SC5142
Parámetros del transistor bipolar y su interrelación.
History: 2SC5211
🌐 : EN ES РУ
Liste
Recientemente añadidas las descripciónes de los transistores:
BJT: ZDT6705 | GA1L4Z | GA1A4M | SBT42 | 2SA200-Y | 2SA200-O | 2SD882-Q | 2SD882-P | 2SD882-E | 2SC945-L | 2SC945-H | 2SC4226-R23 | 2SC3357-F | 2SC3357-E | 2SC3356-R26 | 2SC3356-R24 | 2SC3356-R23 | 2SB772-Q | 2SB772-P | 2SB772-E | 2SA1015-L
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