2SC5127 datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование производителя: 2SC5127  📄📄 

Тип материала: Si

Полярность: NPN

Предельные значения

Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 25 W

Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 800 V

Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 500 V

Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 8 V

Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 1.5 A

Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C

Электрические характеристики

Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 20 MHz

Статический коэффициент передачи тока (hFE): 8

Корпус транзистора: TO-220E

  📄📄 Копировать 

 Аналоги (замена) для 2SC5127

- подборⓘ биполярного транзистора по параметрам

 

2SC5127 даташит

 ..1. Size:60K  panasonic
2sc5127.pdfpdf_icon

2SC5127

Power Transistors 2SC5127, 2SC5127A Silicon NPN triple diffusion planar type For high breakdown voltage high-speed switching Unit mm 4.6 0.2 Features 9.9 0.3 2.9 0.2 High-speed switching 3.2 0.1 High collector to base voltage VCBO Wide area of safe operation (ASO) Full-pack package with outstanding insulation, which can be in- stalled to the heat sink with one screw 2.

 8.1. Size:120K  1
2sc510 2sc512.pdfpdf_icon

2SC5127

 8.2. Size:210K  toshiba
2sc5129.pdfpdf_icon

2SC5127

 8.3. Size:171K  toshiba
2sc5122.pdfpdf_icon

2SC5127

Другие транзисторы: 2SC5097, 2SC5098, 2SC5104, 2SC5109, 2SC5110, 2SC5111, 2SC5121, 2SC5125, MPSA42, 2SC5127A, 2SC5136, 2SC5137, 2SC5138, 2SC5139, 2SC5140, 2SC5141, 2SC5142