2SC5322 Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: 2SC5322  📄📄 

Código: MU

Material: Si

Polaridad de transistor: NPN

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Disipación total del dispositivo (Pc): 0.1 W

Tensión colector-base (Vcb): 8 V

Tensión colector-emisor (Vce): 5 V

Tensión emisor-base (Veb): 1.5 V

Corriente del colector DC máxima (Ic): 0.01 A

Temperatura operativa máxima (Tj): 125 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

Transición de frecuencia (fT): 9000 MHz

Capacitancia de salida (Cc): 0.45 pF

Ganancia de corriente contínua (hFE): 50

Encapsulados: 2-2H1A

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2SC5322 datasheet

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2SC5322

2SC5322 TOSHIBA Transistor Silicon NPN Epitaxial Planar Type 2SC5322 VHF UHF Band Low Noise Amplifier Applications Unit mm Low noise figure NF = 1.4dB (f = 2 GHz) High gain Ga = 10dB (f = 2 GHz) Maximum Ratings (Ta = = 25 C) = = Characteristics Symbol Rating Unit Collector-base voltage VCBO 8 V Collector-emitter voltage VCEO 5 V Emitter-base voltage VEBO 1.5 V

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2SC5322

2SC5322FT TOSHIBA Transistor Silicon NPN Epitaxial Planar Type 2SC5322FT VHF UHF Band Low Noise Amplifier Applications Unit mm Low noise figure NF = 1.4dB (f = 2 GHz) High gain S 2 = 10dB (f = 2 GHz) 21e Maximum Ratings (Ta = = 25 C) = = Characteristics Symbol Rating Unit Collector-base voltage VCBO 8 V Collector-emitter voltage VCEO 5 V Emitter-base voltag

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2SC5322

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