Справочник транзисторов. 2SC5322

 

Биполярный транзистор 2SC5322 Даташит. Аналоги


   Наименование производителя: 2SC5322
   Маркировка: MU
   Тип материала: Si
   Полярность: NPN
   Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.1 W
   Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 8 V
   Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 5 V
   Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 1.5 V
   Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 0.01 A
   Предельная температура PN-перехода (Tj): 125 °C
   Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 9000 MHz
   Ёмкость коллекторного перехода (Cc): 0.45 pf
   Статический коэффициент передачи тока (hfe): 50
   Корпус транзистора: 2-2H1A
     - подбор биполярного транзистора по параметрам

 

2SC5322 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:121K  toshiba
2sc5322.pdfpdf_icon

2SC5322

2SC5322 TOSHIBA Transistor Silicon NPN Epitaxial Planar Type 2SC5322 VHF~UHF Band Low Noise Amplifier Applications Unit: mm Low noise figure: NF = 1.4dB (f = 2 GHz) High gain: Ga = 10dB (f = 2 GHz) Maximum Ratings (Ta == 25C) ==Characteristics Symbol Rating UnitCollector-base voltage VCBO 8 VCollector-emitter voltage VCEO 5 VEmitter-base voltage VEBO 1.5 V

 0.1. Size:124K  toshiba
2sc5322ft.pdfpdf_icon

2SC5322

2SC5322FT TOSHIBA Transistor Silicon NPN Epitaxial Planar Type 2SC5322FT VHF~UHF Band Low Noise Amplifier Applications Unit: mm Low noise figure: NF = 1.4dB (f = 2 GHz) High gain: |S |2 = 10dB (f = 2 GHz) 21eMaximum Ratings (Ta == 25C) ==Characteristics Symbol Rating UnitCollector-base voltage VCBO 8 VCollector-emitter voltage VCEO 5 VEmitter-base voltag

 8.1. Size:122K  toshiba
2sc5323.pdfpdf_icon

2SC5322

 8.2. Size:122K  toshiba
2sc5321.pdfpdf_icon

2SC5322

Другие транзисторы... 2N3200 , 2N3201 , 2N3202 , 2N3203 , 2N3204 , 2N3205 , 2N3206 , 2N3207 , B772 , 2N3209 , 2N3209AQF , 2N3209CSM , 2N3209DCSM , 2N3209L , 2N321 , 2N3210 , 2N3211 .

History: BC446 | TD13005SMD | 2N5785SMD05 | 2SC4320 | AU210 | GI2716 | DRA5124E

 

 
Back to Top

 


 
.