2SA1816 Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: 2SA1816 📄📄
Material: Si
Polaridad de transistor: PNP
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Disipación total del dispositivo (Pc): 0.3 W
Tensión colector-base (Vcb): 150 V
Tensión colector-emisor (Vce): 150 V
Tensión emisor-base (Veb): 5 V
Corriente del colector DC máxima (Ic): 0.05 A
Temperatura operativa máxima (Tj): 150 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
Transición de frecuencia (fT): 200 MHz
Capacitancia de salida (Cc): 5 pF
Ganancia de corriente contínua (hFE): 90
Encapsulados: SC-72
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2SA1816 datasheet
2sa1816 e.pdf
Transistor 2SA1816(Tentative) Silicon PNP epitaxial planer type For low-frequency high breakdown voltage amplification Unit mm 4.0 0.2 Features High collector to emitter voltage VCEO. Absolute Maximum Ratings (Ta=25 C) marking Parameter Symbol Ratings Unit 1 2 3 Collector to base voltage VCBO 150 V Collector to emitter voltage VCEO 150 V Emitter to base voltage VEBO 5
2sa1816.pdf
Transistor 2SA1816(Tentative) Silicon PNP epitaxial planer type For low-frequency high breakdown voltage amplification Unit mm 4.0 0.2 Features High collector to emitter voltage VCEO. Absolute Maximum Ratings (Ta=25 C) marking Parameter Symbol Ratings Unit 1 2 3 Collector to base voltage VCBO 150 V Collector to emitter voltage VCEO 150 V Emitter to base voltage VEBO 5
2sa1814.pdf
Ordering number EN3973 PNP Epitaxial Planar Silicon Transistor 2SA1814 Low-Frequency General-Purpose Amplifier Driver, Muting Circuit Applications Features Package Dimensions Very small-sized package permitting 2SA1814- unit mm applied sets to be made smaller and slimmer. 2018B Adoption of FBET process. [2SA1814] High DC current gain (hFE=500 to 1200). Low collector
Otros transistores... 2SA1785, 2SA1786, 2SA1787, 2SA1798, 2SA1807, 2SA1812, 2SA1813, 2SA1814, TIP127, 2SA1823, 2SA1824, 2SA1825, 2SA1826, 2SA1830, 2SA1831, 2SA1836, 2SA1838
Parámetros del transistor bipolar y su interrelación.
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