2SA1816 datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование производителя: 2SA1816  📄📄 

Тип материала: Si

Полярность: PNP

Предельные значения

Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.3 W

Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 150 V

Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 150 V

Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 5 V

Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 0.05 A

Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C

Электрические характеристики

Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 200 MHz

Ёмкость коллекторного перехода (Cc): 5 pf

Статический коэффициент передачи тока (hFE): 90

Корпус транзистора: SC-72

  📄📄 Копировать 

 Аналоги (замена) для 2SA1816

- подборⓘ биполярного транзистора по параметрам

 

2SA1816 даташит

 ..1. Size:25K  panasonic
2sa1816 e.pdfpdf_icon

2SA1816

Transistor 2SA1816(Tentative) Silicon PNP epitaxial planer type For low-frequency high breakdown voltage amplification Unit mm 4.0 0.2 Features High collector to emitter voltage VCEO. Absolute Maximum Ratings (Ta=25 C) marking Parameter Symbol Ratings Unit 1 2 3 Collector to base voltage VCBO 150 V Collector to emitter voltage VCEO 150 V Emitter to base voltage VEBO 5

 ..2. Size:21K  panasonic
2sa1816.pdfpdf_icon

2SA1816

Transistor 2SA1816(Tentative) Silicon PNP epitaxial planer type For low-frequency high breakdown voltage amplification Unit mm 4.0 0.2 Features High collector to emitter voltage VCEO. Absolute Maximum Ratings (Ta=25 C) marking Parameter Symbol Ratings Unit 1 2 3 Collector to base voltage VCBO 150 V Collector to emitter voltage VCEO 150 V Emitter to base voltage VEBO 5

 8.1. Size:173K  toshiba
2sa1811.pdfpdf_icon

2SA1816

 8.2. Size:84K  sanyo
2sa1814.pdfpdf_icon

2SA1816

Ordering number EN3973 PNP Epitaxial Planar Silicon Transistor 2SA1814 Low-Frequency General-Purpose Amplifier Driver, Muting Circuit Applications Features Package Dimensions Very small-sized package permitting 2SA1814- unit mm applied sets to be made smaller and slimmer. 2018B Adoption of FBET process. [2SA1814] High DC current gain (hFE=500 to 1200). Low collector

Другие транзисторы: 2SA1785, 2SA1786, 2SA1787, 2SA1798, 2SA1807, 2SA1812, 2SA1813, 2SA1814, TIP127, 2SA1823, 2SA1824, 2SA1825, 2SA1826, 2SA1830, 2SA1831, 2SA1836, 2SA1838