2SA1973 Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: 2SA1973  📄📄 

Código: NS

Material: Si

Polaridad de transistor: PNP

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Disipación total del dispositivo (Pc): 0.25 W

Tensión colector-base (Vcb): 30 V

Tensión colector-emisor (Vce): 25 V

Tensión emisor-base (Veb): 6 V

Corriente del colector DC máxima (Ic): 1 A

Temperatura operativa máxima (Tj): 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

Transición de frecuencia (fT): 150 MHz

Capacitancia de salida (Cc): 32 pF

Ganancia de corriente contínua (hFE): 135

Encapsulados: CP

  📄📄 Copiar 

 Búsqueda de reemplazo de 2SA1973

- Selecciónⓘ de transistores por parámetros

 

2SA1973 datasheet

 ..1. Size:44K  sanyo
2sa1973 2sc5310.pdf pdf_icon

2SA1973

Ordering number ENN5613 PNP/NPN Epitaxial Planar Silicon Transistors 2SA1973/2SC5310 DC/DC Converter Applications Features Package Dimensions Adoption of FBET, MBIT processes. unit mm Large current capacitance. 2018B Low collector-to-emitter saturation voltage. [2SA1973/2SC5310] High-speed switching. 0.4 Ultrasmall package facilitates miniaturization in end 0.16

 8.1. Size:191K  toshiba
2sa1972.pdf pdf_icon

2SA1973

 8.2. Size:194K  toshiba
2sa1971.pdf pdf_icon

2SA1973

 8.3. Size:60K  nec
2sa1978.pdf pdf_icon

2SA1973

DATA SHEET PRELIMINARY DATA SHEET Silicon Transistor 2SA1978 PNP EPITAXIAL SILICON TRANSISTOR MICROWAVE AMPLIFIER FEATURES PACKAGE DIMENSIONS High f (in milimeters) T _ 2.8+0.2 f = 5.5 GHz TYP. T +0.1 S 2 = 10.0 dB TYP. @f = 1.0 GHz, V = -10 V, I = -15 mA 1.5 0.65 0.15 21e CE C High speed switching characteristics Equivalent NPN transistor is the 2SC2

Otros transistores... 2SA1954, 2SA1955, 2SA1960, 2SA1961, 2SA1963, 2SA1964, 2SA1965, 2SA1969, TIP41C, 2SA1977, 2SA1978, 2SA1979, 2SA1982, 2SA1989, 2SA1993, 2SA2004, 2SA2005