Справочник транзисторов. 2SA1973

 

Биполярный транзистор 2SA1973 Даташит. Аналоги


   Наименование производителя: 2SA1973
   Маркировка: NS
   Тип материала: Si
   Полярность: PNP
   Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.25 W
   Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 30 V
   Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 25 V
   Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 6 V
   Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 1 A
   Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C
   Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 150 MHz
   Ёмкость коллекторного перехода (Cc): 32 pf
   Статический коэффициент передачи тока (hfe): 135
   Корпус транзистора: CP
 

 Аналог (замена) для 2SA1973

   - подбор ⓘ биполярного транзистора по параметрам

 

2SA1973 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:44K  sanyo
2sa1973 2sc5310.pdfpdf_icon

2SA1973

Ordering number:ENN5613PNP/NPN Epitaxial Planar Silicon Transistors2SA1973/2SC5310DC/DC Converter ApplicationsFeatures Package Dimensions Adoption of FBET, MBIT processes.unit:mm Large current capacitance.2018B Low collector-to-emitter saturation voltage.[2SA1973/2SC5310] High-speed switching.0.4 Ultrasmall package facilitates miniaturization in end 0.16

 8.1. Size:191K  toshiba
2sa1972.pdfpdf_icon

2SA1973

 8.2. Size:194K  toshiba
2sa1971.pdfpdf_icon

2SA1973

 8.3. Size:60K  nec
2sa1978.pdfpdf_icon

2SA1973

DATA SHEETPRELIMINARY DATA SHEETSilicon Transistor2SA1978PNP EPITAXIAL SILICON TRANSISTORMICROWAVE AMPLIFIERFEATURES PACKAGE DIMENSIONSHigh f (in milimeters)T_2.8+0.2f = 5.5 GHz TYP.T+0.1| S | 2 = 10.0 dB TYP. @f = 1.0 GHz, V = -10 V, I = -15 mA 1.5 0.65 0.1521e CE CHigh speed switching characteristicsEquivalent NPN transistor is the 2SC2

Другие транзисторы... 2SA1954 , 2SA1955 , 2SA1960 , 2SA1961 , 2SA1963 , 2SA1964 , 2SA1965 , 2SA1969 , C945 , 2SA1977 , 2SA1978 , 2SA1979 , 2SA1982 , 2SA1989 , 2SA1993 , 2SA2004 , 2SA2005 .

History: TN2711 | SDM5011 | CJD3055

 

 
Back to Top

 


 
.