2SA1977 Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: 2SA1977  📄📄 

Código: T92

Material: Si

Polaridad de transistor: PNP

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Disipación total del dispositivo (Pc): 0.2 W

Tensión colector-base (Vcb): 20 V

Tensión colector-emisor (Vce): 12 V

Tensión emisor-base (Veb): 3 V

Corriente del colector DC máxima (Ic): 0.05 A

Temperatura operativa máxima (Tj): 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

Transición de frecuencia (fT): 6000 MHz

Capacitancia de salida (Cc): 0.5 pF

Ganancia de corriente contínua (hFE): 20

Encapsulados: 3MM

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2SA1977 datasheet

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2SA1977

DATA SHEET PRELIMINARY DATA SHEET Silicon Transistor 2SA1977 PNP EPITAXIAL SILICON TRANSISTOR MICROWAVE AMPLIFIER FEATURES PACKAGE DIMENSION (in millimeters) _ 2.8+0.2 High f T +0.1 f = 8.5 GHz TYP. T 1.5 0.65 0.15 High gain S 2 = 12.0 dB TYP. @f = 1.0 GHz, V = -8 V, I = -20 mA 21e CE C High-speed switching characterstics 2 Equivalent NPN transistor

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2SA1977

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2SA1977

Ordering number ENN5613 PNP/NPN Epitaxial Planar Silicon Transistors 2SA1973/2SC5310 DC/DC Converter Applications Features Package Dimensions Adoption of FBET, MBIT processes. unit mm Large current capacitance. 2018B Low collector-to-emitter saturation voltage. [2SA1973/2SC5310] High-speed switching. 0.4 Ultrasmall package facilitates miniaturization in end 0.16

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