2SD2273 Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: 2SD2273

Material: Si

Polaridad de transistor: NPN

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Disipación total del dispositivo (Pc): 45 W

Tensión colector-base (Vcb): 100 V

Tensión colector-emisor (Vce): 80 V

Tensión emisor-base (Veb): 5 V

Corriente del colector DC máxima (Ic): 3 A

Temperatura operativa máxima (Tj): 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

Transición de frecuencia (fT): 20 MHz

Ganancia de corriente contínua (hFE): 5000

Encapsulados: TOP-3L

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2SD2273 datasheet

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2SD2273

Power Transistors 2SD2273 Silicon NPN triple diffusion planar type Darlington For power amplification Unit mm 3.3 0.2 Complementary to 2SB1500 20.0 0.5 5.0 0.3 3.0 Features Optimum for 40W HiFi output High foward current transfer ratio hFE 5000 to 30000 Low collector to emitter saturation voltage VCE(sat)

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2SD2273

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2SD2273

Power Transistors 2SD2276 Silicon NPN triple diffusion planar type Darlington For power amplification Unit mm 3.3 0.2 Complementary to 2SB1503 20.0 0.5 5.0 0.3 3.0 Features Optimum for 110W HiFi output High foward current transfer ratio hFE 5000 to 30000 Low collector to emitter saturation voltage VCE(sat)

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2SD2273

Power Transistors 2SD2275 Silicon NPN triple diffusion planar type Darlington For power amplification Unit mm 3.3 0.2 Complementary to 2SB1502 20.0 0.5 5.0 0.3 3.0 Features Optimum for 55W HiFi output High foward current transfer ratio hFE 5000 to 30000 Low collector to emitter saturation voltage VCE(sat)

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